Выбор транзистора.

[Wladimir Tchernov]

Доброго времени суток тебе Alexander!

17 Июн 04 22:43, Alexander Torres -> Wladimir Tchernov:

AT>>> Ты будешь смеяться, но у меня в баке, выдающем максимум 4
AT>>> ампера - стоят 20-амперые мосфеты 20N60C3
WT>>
WT>> Почему ?

AT> Потому что Rdson ниже чем у 5-амперных.

AT>>> В другом устройстве, в баке, выдающем максимум 1.5 ампера -
AT>>> стоит 12-амперный мосфет 12NM50
WT>>
WT>> Почему ?

AT> Потому-же.

WT>> Токовую перегрузку отработает защита. А если не отработает - ток
WT>> разряда фильтровой батареи конденсаторов убьет хоть 30, хоть 110А
WT>> ключи.
WT>>
WT>>
AT>>> Почему - уже многократно обьяснялось, а до тебя все не
AT>>> доходит...
WT>>
WT>> Почему ?
WT>>
WT>> И как тогда выбирать ключи ?

AT> Для подобных применений - транзисторы выбирают по вольтажу и Rdson,
AT> макс. ток транхистора при этом, как правило можно не смотреть - он
AT> больше требуемого.

Хорошо - я ставлю в плечо 4х IRF740 в паралель, при токе 30А на каждый придется
по 7,5 А При сопротивлении канала 0,55Ом (худший случай) на ключе упадет всего
навсего 4,2 вольта и выделиться 31 Ватт, тогда, как рассеить он может 125.....

Поставив в 2 раза более дорогой ключ на 2хIRFP460 получаю соответственно те-же
4 вольта (15х0,27 Ом) но уже 60 Вт с корпуса - что заметно по условиям
теплоотвода хуже.

В родной схеме 10 х КТ840 явно рассеивают поболее с учетом токовыравнивающих
резисторов в коллекторах, которых МОПам не требуется. Стоит этот коструктив уже
60х100 = 600 руб+ 100 руб за диод. Требует чудовищного драйвера. (схему пока не
срисовал - но выглядит жудко).

Тогда как полная стоимость ключа на полевиках 4х20 руб за транзисторы + 100 руб
за диод (который при аварии не сдохнет).


Причем посчитан параноидальный случай - реальный ток через транзисторы меньше
из-за синусоидальной его формы. Еще транзистор открыт максимум 1/2 всего
времени - тоесть мощность рассеиваемая ключем как минимум в 2 раза меньше.

Итого всего максимум 120 Ватт потерь в ключах. Что для наколенной разработки
весьма пристойно - трансформатор и диоды выпрямителя потеряют больше.


Увеличение морщности ключей слишком быстро увеличивает цену.

Будь счастлив(а) Alexander...
С уважением Wladimir.

[Alexander Torres]

Привет Wladimir!

Friday June 18 2004 09:01, Wladimir Tchernov wrote to Alexander Torres:

WT>>> И как тогда выбирать ключи ?
WT>
AT>> Для подобных применений - транзисторы выбирают по вольтажу и Rdson,
AT>> макс. ток транхистора при этом, как правило можно не смотреть - он
AT>> больше требуемого.
WT>
WT> Хорошо - я ставлю в плечо 4х IRF740 в паралель, при токе 30А на каждый
WT> придется по 7,5 А При сопротивлении канала 0,55Ом (худший случай) на ключе
WT> упадет всего навсего 4,2 вольта и выделиться 31 Ватт, тогда, как рассеить
WT> он может 125.....

ТЫ попробуй с него сдуть столько!

WT> Поставив в 2 раза более дорогой ключ на 2хIRFP460 получаю
WT> соответственно те-же 4 вольта (15х0,27 Ом)

А поставив два SPW20N60C3 - получишь 15*0.19= 2.85 вольта, или 43 ватта.
А поставив два STW45NM50 - получишь 15*0.08= 1.2 вольта, или 18 ватт.

WT> но уже 60 Вт с корпуса -
WT> что заметно по условиям теплоотвода хуже.

Зато 460-й в ТО-247, который имеет площадь контакта с радиатором раза в 4
больше чем ТО-220, так что работать он будет гораздо лучше :)

Плюс вот еще что - входная емкость:

4x740 = 4*1400 = 5600
2х460 = 2*4200 = 8400
2x20N60 = 2*2400 = 4800
2x45NM50 = 2* 3700 = 7400 (правда, с учетом тока и Rdson этого транзистора -
можно его не два а один ставить. так что получится 3700)


Откуда понятно что два 460-х явно ставить не нужно, а четыре 740-х будут явно
греться затворным током сильнее чем два 20N60 или чем один 45NM50

Это мы еще не сравнивали Total Gate Charge, и допустимое dv/dt - для медленных
740/460 может придется параллельно им такие конденсаторы поставить что от них
они еще вдвое сильнее нагреются.


Alexander Torres, 2:461/28 aka 2:461/640.28 aka 2:5020/6400.28
aka ***@yahoo.com
http://www.altor.tk , http://altor.sytes.net , ftp://altor.sytes.net

[Aleksei Pogorily]

Fri Jun 18 2004 10:56, Alexander Torres wrote to Wladimir Tchernov:

WT>> ключе упадет всего навсего 4,2 вольта и выделиться 31 Ватт, тогда, как
WT>> рассеить он может 125.....

AT> ТЫ попробуй с него сдуть столько!

В смысле 31. Попробовать можно, но уже непросто. А 125 - никак.

WT>> Поставив в 2 раза более дорогой ключ на 2хIRFP460 получаю
WT>> соответственно те-же 4 вольта (15х0,27 Ом)

AT> А поставив два SPW20N60C3 - получишь 15*0.19= 2.85 вольта, или 43 ватта.
AT> А поставив два STW45NM50 - получишь 15*0.08= 1.2 вольта, или 18 ватт.

ТОлько вот кристалл у них будет при работе иметь температуру не 25 град. А
хотя бы 100 (а если макс. температура окружающей среды повышенная - лучше на
150 рассчитывать).
У SPP20N60C3 при +100 град 0,35 ом, а при +150 0,52 ом. Отсюда ватт получается
куда больше.

Aleksei Pogorily 2:5020/1504

[Alexander Torres]

Привет Aleksei!

Friday June 18 2004 16:29, Aleksei Pogorily wrote to Alexander Torres:

WT>>> Поставив в 2 раза более дорогой ключ на 2хIRFP460 получаю
WT>>> соответственно те-же 4 вольта (15х0,27 Ом)
AP>
AT>> А поставив два SPW20N60C3 - получишь 15*0.19= 2.85 вольта, или 43
AT>> ватта. А поставив два STW45NM50 - получишь 15*0.08= 1.2 вольта, или
AT>> 18 ватт.
AP>
AP> ТОлько вот кристалл у них будет при работе иметь температуру не 25 град. А
AP> хотя бы 100 (а если макс. температура окружающей среды повышенная - лучше
AP> на 150 рассчитывать). У SPP20N60C3 при +100 град 0,35 ом, а при +150 0,52
AP> ом. Отсюда ватт получается куда больше.

Разумеется. но и он-же свои считал при 25гр, поэтому для корректности сравнения
я считал при тех-же условиях :)

Alexander Torres, 2:461/28 aka 2:461/640.28 aka 2:5020/6400.28
aka ***@yahoo.com
http://www.altor.tk , http://altor.sytes.net , ftp://altor.sytes.net

[Aleksei Pogorily]

Fri Jun 18 2004 16:15, Alexander Torres wrote to Aleksei Pogorily:

AP>> ТОлько вот кристалл у них будет при работе иметь температуру не 25 град.
AP>> А хотя бы 100 (а если макс. температура окружающей среды повышенная -
AP>> лучше на 150 рассчитывать). У SPP20N60C3 при +100 град 0,35 ом, а при
AP>> +150 0,52 ом. Отсюда ватт получается куда больше.

AT> Разумеется. но и он-же свои считал при 25гр, поэтому для корректности
AT> сравнения я считал при тех-же условиях :)

А считать надо правильно.
А то легко насчитать 20 ватт статических потерь при 25 град, что вполне
терпимо для TO-220 при обдуве или больших радиаторах. А по жизни окажется их
50 ватт за счет роста Rdson от температуры, да плюс 30 ватт динамических.
Итого 80 ватт, что и для TO-247 выглядит запредельно много.

Aleksei Pogorily 2:5020/1504

[Wladimir Tchernov]

Добpого вpемени суток тебе, Aleksei!

Помню, Wednesday January 0-559 1906, Aleksei Pogorily pазговаpивал с Alexander
Torres:

AP> А считать надо правильно.
AP> А то легко насчитать 20 ватт статических потерь при 25 град, что
AP> вполне терпимо для TO-220 при обдуве или больших радиаторах. А по
AP> жизни окажется их 50 ватт за счет роста Rdson от температуры, да плюс
AP> 30 ватт динамических. Итого 80 ватт, что и для TO-247 выглядит
AP> запредельно много.
Сейчас даташита под носом нет - но там писалось о более чем 100Вт pассеиваемых
коpпyсом.


До свиданья, Aleksei! С yважением -- Wladimir Tchernov.

... Этот мир....

[Aleksei Pogorily]

Mon Jun 21 2004 02:16, Wladimir Tchernov wrote to Aleksei Pogorily:

AP>> 30 ватт динамических. Итого 80 ватт, что и для TO-247 выглядит
AP>> запредельно много.

WT> Сейчас даташита под носом нет - но там писалось о более чем 100Вт
WT> pассеиваемых коpпyсом.

Это в тепличных условиях. А в реальных, при разумном размере радиаторов -
гораздо меньше.

Aleksei Pogorily 2:5020/1504

[Wladimir Tchernov]

Доброго времени суток тебе Aleksei!

22 Июн 04 14:25, Aleksei Pogorily -> Wladimir Tchernov:

AP>>> 30 ватт динамических. Итого 80 ватт, что и для TO-247 выглядит
AP>>> запредельно много.

WT>> Сейчас даташита под носом нет - но там писалось о более чем 100Вт
WT>> pассеиваемых коpпyсом.

AP> Это в тепличных условиях. А в реальных, при разумном размере
AP> радиаторов - гораздо меньше.
Прискорбно.


Будь счастлив(а) Aleksei...
С уважением Wladimir.

[Wladimir Tchernov]

Доброго времени суток тебе Alexander!

18 Июн 04 10:56, Alexander Torres -> Wladimir Tchernov:

WT>>>> И как тогда выбирать ключи ?
WT>>
AT>>> Для подобных применений - транзисторы выбирают по вольтажу и
AT>>> Rdson, макс. ток транхистора при этом, как правило можно не
AT>>> смотреть - он больше требуемого.
WT>>
WT>> Хорошо - я ставлю в плечо 4х IRF740 в паралель, при токе 30А на
WT>> каждый придется по 7,5 А При сопротивлении канала 0,55Ом (худший
WT>> случай) на ключе упадет всего навсего 4,2 вольта и выделиться 31
WT>> Ватт, тогда, как рассеить он может 125.....

AT> ТЫ попробуй с него сдуть столько!
3,8 кВт сдувал благополучно 4мя 1,25 ЭВ-6 Хотя и 2х хватило-б.

WT>> Поставив в 2 раза более дорогой ключ на 2хIRFP460 получаю
WT>> соответственно те-же 4 вольта (15х0,27 Ом)

AT> А поставив два SPW20N60C3 - получишь 15*0.19= 2.85 вольта, или 43
AT> ватта.
По 150 руб за штуку и на складах нет.... дороговато.


AT> А поставив два STW45NM50 - получишь 15*0.08= 1.2 вольта, или
AT> 18 ватт.
Угу - они как 2 коробки 740 или пол коробки 460х стоят + вентилятор.....

WT>> но уже 60 Вт с корпуса -
WT>> что заметно по условиям теплоотвода хуже.

AT> Зато 460-й в ТО-247, который имеет площадь контакта с радиатором раза
AT> в 4 больше
Угу.

AT> чем ТО-220, так что работать он будет гораздо лучше :)
Больно уж у него емкость затвора правда....

AT> Плюс вот еще что - входная емкость:

AT> 4x740 = 4*1400 = 5600
AT> 2х460 = 2*4200 = 8400
AT> 2x20N60 = 2*2400 = 4800
AT> 2x45NM50 = 2* 3700 = 7400 (правда, с учетом тока и Rdson этого
AT> транзистора - можно его не два а один ставить. так что получится 3700)


AT> Откуда понятно что два 460-х явно ставить не нужно, а четыре 740-х
AT> будут явно греться затворным током сильнее чем два 20N60 или чем один
AT> 45NM50
И стоить соответственно в 3,5 раза дешевле. При этом их реально можно купить.

AT> Это мы еще не сравнивали Total Gate Charge, и допустимое dv/dt - для
AT> медленных 740/460 может придется параллельно им такие конденсаторы
AT> поставить что от них они еще вдвое сильнее нагреются.
Частота ориентировочно 12-25 кГц.

Интересно а биполярники получается лучше ?

Будь счастлив(а) Alexander...
С уважением Wladimir.

[Alexander Torres]

Привет Wladimir!

Friday June 18 2004 14:14, Wladimir Tchernov wrote to Alexander Torres:

AT>>>> Для подобных применений - транзисторы выбирают по вольтажу и
AT>>>> Rdson, макс. ток транхистора при этом, как правило можно не
AT>>>> смотреть - он больше требуемого.
WT>>>
WT>>> Хорошо - я ставлю в плечо 4х IRF740 в паралель, при токе 30А на
WT>>> каждый придется по 7,5 А При сопротивлении канала 0,55Ом (худший
WT>>> случай) на ключе упадет всего навсего 4,2 вольта и выделиться 31
WT>>> Ватт, тогда, как рассеить он может 125.....
WT>
AT>> ТЫ попробуй с него сдуть столько!
WT>
WT> 3,8 кВт сдувал благополучно 4мя 1,25 ЭВ-6 Хотя и 2х хватило-б.

3.8квт ты сдувал с ТО-247 ? Твоя фамилия случайно не Теплоухов?

WT>
WT>>> Поставив в 2 раза более дорогой ключ на 2хIRFP460 получаю
WT>>> соответственно те-же 4 вольта (15х0,27 Ом)
WT>
AT>> А поставив два SPW20N60C3 - получишь 15*0.19= 2.85 вольта, или 43
AT>> ватта.
WT>
WT> По 150 руб за штуку и на складах нет.... дороговато.

Очень дешево для такого транзистора в розницу, у нс они дороже стоят.

AT>> А поставив два STW45NM50 - получишь 15*0.08= 1.2 вольта, или
AT>> 18 ватт.
WT>
WT> Угу - они как 2 коробки 740 или пол коробки 460х стоят + вентилятор.....


Зато работают, в отличие от.

AT>> Откуда понятно что два 460-х явно ставить не нужно, а четыре 740-х
AT>> будут явно греться затворным током сильнее чем два 20N60 или чем один
AT>> 45NM50
WT>
WT> И стоить соответственно в 3,5 раза дешевле.


У тебя что, крупносерийное произсодвто? При твоих тиражах - стоимость деталей
вообще никого не интересует.


WT> При этом их реально можно купить.

Все можно реально купить, тебе об этом не раз говорили.

Alexander Torres, 2:461/28 aka 2:461/640.28 aka 2:5020/6400.28
aka ***@yahoo.com
http://altor.sytes.net , ftp://altor.sytes.net

[Wladimir Tchernov]

Доброго времени суток тебе Alexander!

21 Июн 04 08:09, Alexander Torres -> Wladimir Tchernov:


AT>>>>> Для подобных применений - транзисторы выбирают по вольтажу и
AT>>>>> Rdson, макс. ток транхистора при этом, как правило можно не
AT>>>>> смотреть - он больше требуемого.
WT>>>>
WT>>>> Хорошо - я ставлю в плечо 4х IRF740 в паралель, при токе 30А на
WT>>>> каждый придется по 7,5 А При сопротивлении канала 0,55Ом
WT>>>> (худший случай) на ключе упадет всего навсего 4,2 вольта и
WT>>>> выделиться 31 Ватт, тогда, как рассеить он может 125.....
WT>>
AT>>> ТЫ попробуй с него сдуть столько!
WT>>
WT>> 3,8 кВт сдувал благополучно 4мя 1,25 ЭВ-6 Хотя и 2х хватило-б.

AT> 3.8квт ты сдувал с ТО-247 ? Твоя фамилия случайно не Теплоухов?

С 32 ТО-3 (КТ825). Тоесть с каждого где-то по 100 Вт
Фамилия моя судя по паспорту - Чернов.

WT>>
WT>>>> Поставив в 2 раза более дорогой ключ на 2хIRFP460 получаю
WT>>>> соответственно те-же 4 вольта (15х0,27 Ом)
WT>>
AT>>> А поставив два SPW20N60C3 - получишь 15*0.19= 2.85 вольта, или
AT>>> 43 ватта.
WT>>
WT>> По 150 руб за штуку и на складах нет.... дороговато.

AT> Очень дешево для такого транзистора в розницу, у нс они дороже стоят.
IGBT по соотношению ток ключа-цена мне показались привлекательнее.

AT>>> А поставив два STW45NM50 - получишь 15*0.08= 1.2 вольта, или
AT>>> 18 ватт.
WT>>
WT>> Угу - они как 2 коробки 740 или пол коробки 460х стоят +
WT>> вентилятор.....


AT> Зато работают, в отличие от.


AT>>> Откуда понятно что два 460-х явно ставить не нужно, а четыре
AT>>> 740-х будут явно греться затворным током сильнее чем два 20N60
AT>>> или чем один 45NM50
WT>>
WT>> И стоить соответственно в 3,5 раза дешевле.


AT> У тебя что, крупносерийное произсодвто?
При учете того, сколько их сгорит во время пусков..... мне в резонанс влететь
как пить дать получиться - там их и пробьет высоким напряжением.

AT> При твоих тиражах - стоимость
AT> деталей вообще никого не интересует.
У меня не так много денег.

Hаверное отлаживать придется на 740 а потом поставить IGBT со встроенными
диодами от IR как доступные по цене.

WT>> При этом их реально можно купить.

AT> Все можно реально купить, тебе об этом не раз говорили.
Их совсем реально купить - они есть у нас в городе в наличии. Только от
томпсона.


Будь счастлив(а) Alexander...
С уважением Wladimir.

[Alexander Torres]

Привет Wladimir!

Monday June 21 2004 16:58, Wladimir Tchernov wrote to Alexander Torres:

WT> При учете того, сколько их сгорит во время пусков..... мне в резонанс
WT> влететь как пить дать получиться - там их и пробьет высоким напряжением.

Ты его на параллельный контур нагружаешь?
Обычно в квазирезонансных БП контур последовательный - дроссель и конденсатор.
Транзисторы у тебя конечно все равно сгорят, не от dv/dt так от емкостных
токов, но уж никак не от высокого напряжения.



WT>
AT>> При твоих тиражах - стоимость
AT>> деталей вообще никого не интересует.
WT>
WT> У меня не так много денег.

Hу и что? Если ты делаешь не серию, или мелкую серию - цена разработки
многократно превышает цену деталей.

WT> Hаверное отлаживать придется на 740 а потом поставить IGBT со встроенными
WT> диодами от IR как доступные по цене.
WT>
WT>>> При этом их реально можно купить.
WT>
AT>> Все можно реально купить, тебе об этом не раз говорили.
WT>
WT> Их совсем реально купить - они есть у нас в городе в наличии. Только от
WT> томпсона.

Гы, IRF740 от Томсона купить можно, а ST-шные феты, от того-же Томсона -
нельзя ? :-)
Тем более, что в отличие от 740-х - эти "родные".

Alexander Torres, 2:461/28 aka 2:461/640.28 aka 2:5020/6400.28
aka ***@yahoo.com
http://altor.sytes.net , ftp://altor.sytes.net

[Aleksei Pogorily]

Tue Jun 22 2004 18:54, Alexander Torres wrote to Wladimir Tchernov:

AT>>> При твоих тиражах - стоимость
AT>>> деталей вообще никого не интересует.
WT>>
WT>> У меня не так много денег.

AT> Hу и что? Если ты делаешь не серию, или мелкую серию - цена разработки
AT> многократно превышает цену деталей.

Я могу придумать ситуацию, когда стоимость деталей при единичном экземпляре
существенна - если человек занимается этим для самообразования и повышения
квалификации.
Только в данном случае насчет возможностей оного повышения я как бы
сомневаюсь.

Aleksei Pogorily 2:5020/1504

[Wladimir Tchernov]

Доброго времени суток тебе Alexander!

22 Июн 04 18:54, Alexander Torres -> Wladimir Tchernov:

WT>> При учете того, сколько их сгорит во время пусков..... мне в
WT>> резонанс влететь как пить дать получиться - там их и пробьет
WT>> высоким напряжением.

AT> Ты его на параллельный контур нагружаешь?
Последовательный.
AT> Обычно в квазирезонансных БП контур последовательный - дроссель и
AT> конденсатор. Транзисторы у тебя конечно все равно сгорят, не от dv/dt
AT> так от емкостных токов, но уж никак не от высокого напряжения.
В 20 ваттном померли быстро и не нагревшись 2хКТ840.


WT>>
AT>>> При твоих тиражах - стоимость
AT>>> деталей вообще никого не интересует.
WT>>
WT>> У меня не так много денег.

AT> Hу и что? Если ты делаешь не серию, или мелкую серию - цена
AT> разработки многократно превышает цену деталей.
Разрабатываю я ее сам, для себя - так что самому чебе з/п можно не платить :)

WT>> Hаверное отлаживать придется на 740 а потом поставить IGBT со
WT>> встроенными диодами от IR как доступные по цене.
WT>>
WT>>>> При этом их реально можно купить.
WT>>
AT>>> Все можно реально купить, тебе об этом не раз говорили.
WT>>
WT>> Их совсем реально купить - они есть у нас в городе в наличии.
WT>> Только от томпсона.

AT> Гы, IRF740 от Томсона купить можно,
Есть они в магазинчике , торгующим радиодеталями у нас в городе в наличии - еще
штук 20 осталось (все-равно кроме меня их никто не покупает :).

AT> а ST-шные феты, от того-же
AT> Томсона - нельзя ? :-) Тем более, что в отличие от 740-х - эти
AT> "родные".
А это только под заказ, а под заказ не хотят.


Будь счастлив(а) Alexander...
С уважением Wladimir.

[Dima Orlov]

Hello, Wladimir Tchernov !

Post by Wladimir Tchernov
WT>> При учете того, сколько их сгорит во время пусков..... мне в
WT>> резонанс влететь как пить дать получиться - там их и пробьет
WT>> высоким напряжением.
AT> Ты его на параллельный контур нагружаешь?
Последовательный.
AT> Обычно в квазирезонансных БП контур последовательный - дроссель и
AT> конденсатор. Транзисторы у тебя конечно все равно сгорят, не от dv/dt
AT> так от емкостных токов, но уж никак не от высокого напряжения.
В 20 ваттном померли быстро и не нагревшись 2хКТ840.

Ты хоть немного представляешь себе происходящее в последовательном L-C контуре
вблизи резонанса? Hу хот самую капельку? Hу каким, скажи на милость образом
напряжение на ключе в таком преобразователе может превысить DC reel? И расскажи
какого хера ты не понимая и не зная самых основ, начального курса
электротехники, имеешь наглость возражать людям, разрабатывающим _серийные_,
более того, крупносерийные изделия с похожими топологиями. Откуда такая
безграничная самоуверенность при _нулевых_ _базовых_ знаниях?

Post by Wladimir Tchernov
WT>>
AT>>> При твоих тиражах - стоимость
AT>>> деталей вообще никого не интересует.
WT>>
WT>> У меня не так много денег.
AT> Hу и что? Если ты делаешь не серию, или мелкую серию - цена
AT> разработки многократно превышает цену деталей.
Разрабатываю я ее сам, для себя - так что самому чебе з/п можно не
платить :)

Ее тебе по любому не за что платить. В обсуждаемой области ты до уровня техника
не дотягиваешь.


С уважением, Дима Орлов.

[Wladimir Tchernov]

Доброго времени суток тебе Dima!

Post by Wladimir Tchernov
WT>> При учете того, сколько их сгорит во время пусков..... мне в
WT>> резонанс влететь как пить дать получиться - там их и пробьет
WT>> высоким напряжением.
AT> Ты его на параллельный контур нагружаешь?
Последовательный.
AT> Обычно в квазирезонансных БП контур последовательный -
AT> дроссель и конденсатор. Транзисторы у тебя конечно все равно
AT> сгорят, не от dv/dt так от емкостных токов, но уж никак не от
AT> высокого напряжения.
В 20 ваттном померли быстро и не нагревшись 2хКТ840.

DO> Ты хоть немного представляешь себе происходящее в последовательном L-C
DO> контуре вблизи резонанса?
Да я уж понял - что-то не оо сказал - я про балласты думал - а том-же лампа
паралельно конденсатору стоит. Прошу прощения.
DO> Hу хот самую капельку? Hу каким, скажи на
DO> милость образом напряжение на ключе в таком преобразователе может
DO> превысить DC reel? И расскажи какого хера ты не понимая и не зная
DO> самых основ, начального курса электротехники, имеешь наглость
DO> возражать людям, разрабатывающим _серийные_,
Я не возражал никоим образом - я мысль свои высказал.
DO> более того,
DO> крупносерийные изделия с похожими топологиями. Откуда
DO> такая безграничная самоуверенность при _нулевых_ _базовых_ знаниях?
Какая нафиг самоуверенность - ты наверное не совсем правильно слова мои понял -
я хотел сказать - почему-то померли. Почему я не понял.

Post by Wladimir Tchernov
WT>>
AT>>> При твоих тиражах - стоимость
AT>>> деталей вообще никого не интересует.
WT>>
WT>> У меня не так много денег.
AT> Hу и что? Если ты делаешь не серию, или мелкую серию - цена
AT> разработки многократно превышает цену деталей.
Разрабатываю я ее сам, для себя - так что самому чебе з/п можно не
платить :)

DO> Ее тебе по любому не за что платить. В обсуждаемой области ты до
DO> уровня техника не дотягиваешь.
Пока да....


Будь счастлив(а) Dima...
С уважением Wladimir.

[Dima Orlov]

Hello, Wladimir Tchernov !

Post by Wladimir Tchernov

Post by Wladimir Tchernov
AT> Обычно в квазирезонансных БП контур последовательный -
AT> дроссель и конденсатор. Транзисторы у тебя конечно все равно
AT> сгорят, не от dv/dt так от емкостных токов, но уж никак не от
AT> высокого напряжения.
В 20 ваттном померли быстро и не нагревшись 2хКТ840.

DO> Ты хоть немного представляешь себе происходящее в последовательном L-C
DO> контуре вблизи резонанса?
Да я уж понял - что-то не оо сказал - я про балласты думал - а
том-же лампа паралельно конденсатору стоит. Прошу прощения.

Да какая разница? Как вообще в полумосте может напряжение на ключах выше
DC-reel оказаться?

Post by Wladimir Tchernov
DO> самых основ, начального курса электротехники, имеешь наглость
DO> возражать людям, разрабатывающим _серийные_,
Я не возражал никоим образом - я мысль свои высказал.

А надо было не высказывать, а вникать в то, что в первом абзаце квотинга
сказано

Post by Wladimir Tchernov
DO> более того,
DO> крупносерийные изделия с похожими топологиями. Откуда
DO> такая безграничная самоуверенность при _нулевых_ _базовых_ знаниях?
Какая нафиг самоуверенность - ты наверное не совсем правильно
слова мои понял - я хотел сказать - почему-то померли. Почему я не понял.

Если dead time нормальный, то от емкостного режима или dv/dt или и того и
другого одновременно.

С уважением, Дима Орлов.

[Aleksei Pogorily]

Post by Wladimir Tchernov
В 20 ваттном померли быстро и не нагревшись 2хКТ840.

DO> Да какая разница? Как вообще в полумосте может напряжение на ключах выше
DO> DC-reel оказаться?

Если не зашунтированные диодами биполяры или IGBT - легко, они же встроенных
диодов не содержат. При этом силовые ключи вполне могут сдохнуть.

Aleksei Pogorily 2:5020/1504

[Dima Orlov]

Hello, Aleksei Pogorily !

Post by Aleksei Pogorily

Post by Wladimir Tchernov
В 20 ваттном померли быстро и не нагревшись 2хКТ840.

DO> Да какая разница? Как вообще в полумосте может напряжение на ключах
выше DC-reel оказаться?
Если не зашунтированные диодами биполяры или IGBT - легко, они же
встроенных диодов не содержат. При этом силовые ключи вполне могут сдохнуть.

Да и схема при этом работать не будет, так что пускай их дохнут.


С уважением, Дима Орлов.

[Aleksei Pogorily]

Hi Dima!

Post by Aleksei Pogorily
DO> Да какая разница? Как вообще в полумосте может напряжение на ключах
выше DC-reel оказаться?
Если не зашунтированные диодами биполяры или IGBT - легко, они же
встроенных диодов не содержат. При этом силовые ключи вполне могут сдохнуть.

DO> Да и схема при этом работать не будет, так что пускай их дохнут.

(Возмущенно) Как это не будет?
Обычный полумост, когда нагpузка по минимуму (или, напpимеp, отвалилась).
После включения тpанзистоpа пеpвое вpемя ток чеpез него течет в обpатную
стоpону (ток намагничивания тpансфоpматоpа). Если диоды есть - ничего
стpашного. А если нет - сдохнут ключи.
Для минимальной pабочей нагpузки это вообще штатный pежим.

Cheers, Aleksei [mailto:***@nm.ru]

[Dima Orlov]

Hello, Aleksei Pogorily !

Post by Aleksei Pogorily

Post by Aleksei Pogorily
DO> Да какая разница? Как вообще в полумосте может напряжение на ключах
выше DC-reel оказаться?
Если не зашунтированные диодами биполяры или IGBT - легко, они же
встроенных диодов не содержат. При этом силовые ключи вполне могут сдохнут

ь.
DO> Да и схема при этом работать не будет, так что пускай их дохнут.
(Возмущенно) Как это не будет?

Hикак, разве что на чисто активную нагрузку. Потому если нет диодов встроенных,
нужно поставить внешние.

Post by Aleksei Pogorily
стоpону (ток намагничивания тpансфоpматоpа). Если диоды есть -
ничего стpашного. А если нет - сдохнут ключи.

А если и не сдохнут (ну такие вот идеальные несдыхающие ключи), оно что,
работать может?

Post by Aleksei Pogorily
Для минимальной pабочей нагpузки это вообще штатный pежим.

Да не важно минимальная или не минимальная...

С уважением, Дима Орлов.

[Aleksei Pogorily]

Post by Aleksei Pogorily

Post by Aleksei Pogorily
Если не зашунтированные диодами биполяры или IGBT - легко, они же
встроенных диодов не содержат. При этом силовые ключи вполне могут
сдохнут

DO> Да и схема при этом работать не будет, так что пускай их дохнут.
(Возмущенно) Как это не будет?

DO> Hикак, разве что на чисто активную нагрузку. Потому если нет диодов
DO> встроенных, нужно поставить внешние.

Ааа ... Я тебя в обратном смысле понял.
Впрочем, если нагрузка резистивная и стабильная (например, электронный
трансформатор для галогенки) - можно. Hо только в подобных случаях.

Aleksei Pogorily 2:5020/1504

[Wladimir Tchernov]

Доброго времени суток тебе Dima!

Post by Wladimir Tchernov
Да я уж понял - что-то не оо сказал - я про балласты думал - а
том-же лампа паралельно конденсатору стоит. Прошу прощения.

DO> Да какая разница? Как вообще в полумосте может напряжение на ключах
DO> выше DC-reel оказаться?
Hе знаю - я уже говорил - чего-то не того наплел.

Post by Wladimir Tchernov
Какая нафиг самоуверенность - ты наверное не совсем правильно
слова мои понял - я хотел сказать - почему-то померли. Почему я не
понял.

DO> Если dead time нормальный, то от емкостного режима или dv/dt или и
DO> того и другого одновременно.
Как выражается емкостной режим - откуда беруться эти сверхтоки, какова
становиться форма тока через ключи ?


Будь счастлив(а) Dima...
С уважением Wladimir.

[Dima Orlov]

Hello, Wladimir Tchernov !

Post by Wladimir Tchernov
DO> Если dead time нормальный, то от емкостного режима или dv/dt или и
DO> того и другого одновременно.
Как выражается емкостной режим - откуда беруться эти сверхтоки,
какова становиться форма тока через ключи ?

Я тебе уже отвечал на этот вопрос. Промоделируй в Pspice или аналогичной
программе и посмотри сам. Форма тока - иглы в десятки ампер.

С уважением, Дима Орлов.

[Alexander Torres]

Привет Wladimir!

Post by Wladimir Tchernov
WT>> резонанс влететь как пить дать получиться - там их и пробьет
WT>> высоким напряжением.

WT>

Post by Wladimir Tchernov
AT> Ты его на параллельный контур нагружаешь?

WT>

Post by Wladimir Tchernov
Последовательный.

WT>

Post by Wladimir Tchernov
AT> Обычно в квазирезонансных БП контур последовательный -
AT> дроссель и конденсатор. Транзисторы у тебя конечно все равно
AT> сгорят, не от dv/dt так от емкостных токов, но уж никак не от
AT> высокого напряжения.

WT>

Post by Wladimir Tchernov
В 20 ваттном померли быстро и не нагревшись 2хКТ840.

WT>
DO>> Ты хоть немного представляешь себе происходящее в последовательном
DO>> L-C контуре вблизи резонанса?
WT>
WT> Да я уж понял - что-то не оо сказал - я про балласты думал - а том-же
WT> лампа паралельно конденсатору стоит. Прошу прощения.


Да, стоит там лампа параллельно конденсатору, и у нас в балластах так, но
откуда на транзисторах высокое напряжение?!


Alexander Torres, 2:461/28 aka 2:461/640.28 aka 2:5020/6400.28
aka ***@yahoo.com
http://altor.sytes.net , ftp://altor.sytes.net

[Alexander Torres]

Привет Wladimir!

Wednesday June 23 2004 11:13, Wladimir Tchernov wrote to Alexander Torres:

WT>>> При учете того, сколько их сгорит во время пусков..... мне в
WT>>> резонанс влететь как пить дать получиться - там их и пробьет
WT>>> высоким напряжением.
WT>
AT>> Ты его на параллельный контур нагружаешь?
WT>
WT> Последовательный.

Тогда нарисуй схему, и покажи как на транзисторе высокое напряжение оказалось ?

Alexander Torres, 2:461/28 aka 2:461/640.28 aka 2:5020/6400.28
aka ***@yahoo.com
http://altor.sytes.net , ftp://altor.sytes.net

[Wladimir Tchernov]

Доброго времени суток тебе Alexander!

23 Июн 04 23:28, Alexander Torres -> Wladimir Tchernov:

WT>>>> При учете того, сколько их сгорит во время пусков..... мне в
WT>>>> резонанс влететь как пить дать получиться - там их и пробьет
WT>>>> высоким напряжением.
WT>>
AT>>> Ты его на параллельный контур нагружаешь?
WT>>
WT>> Последовательный.

AT> Тогда нарисуй схему, и покажи как на транзисторе высокое напряжение
AT> оказалось ?
Да уж понял - что что-то не о сказал.



Будь счастлив(а) Alexander...
С уважением Wladimir.

[Alex Prostakov]

Привет Wladimir!

Hе зная всей задачи посоветовать разумно тяжело, но я встречал схемы
разряников, где конденсатор разряжался на элетромагнит, там применялись
тиристоры, так как для них возможен очень большои импульсный ток, ещё сейчас
ключевые транзисторы биполярные есть, у них падение напряжения около 2В при
больших рабочих токах. Hаверное при низком коммутируемом напряжении хороший
биполярный или IBGT (например такое есть: GA200SA60U ключ в sot-227 ток прямой
200А, импульсный 400А, частота до 60кГц, IR производитель, с таким током за
проводами нужен глаз да глаз:))


С уважением, Alex

... Просто таглайн.

[Dima Orlov]

Hello, Alex Prostakov !

Post by Alex Prostakov
больших рабочих токах. Hаверное при низком коммутируемом
напряжении хороший
биполярный или IBGT (например такое есть: GA200SA60U ключ в

Кстати IGBT - один из наиболее распространенных вариантов ключа во всяких
игнайторах, где через него и первичку импульсного трансформатора разряжается
накопительная емкость.

С уважением, Дима Орлов.

[Aleksei Pogorily]

Hi Dima!

Post by Alex Prostakov
больших рабочих токах. Hаверное при низком коммутируемом
напряжении хороший
биполярный или IBGT (например такое есть: GA200SA60U ключ в

DO> Кстати IGBT - один из наиболее распространенных вариантов ключа во всяких
DO> игнайторах, где через него и первичку импульсного трансформатора
DO> разряжается накопительная емкость.

В наше вpемя, пожалуй, самый pаспpостpаненный. Поскольку имеет сеpьезные
пpеимущества по сpавнению с дpугими ваpиантами.

По сpавнению с составными биполяpными тpанзистоpами (pанее пpименявшимися в
этих цепях) - пpактически не хуже по падению напpяжения на откpытом ключе, и
лучше по пpактически пpямоугольной SOA и нулевому статическому току упpавления.
Пpевоосходит по допустимому импульсному току.

По сpавнению с тиpистоpами - он закpываемый по упpавлению и не имеет
огpаничений по dI/dt (кстати, именно из-за пpевышения dI/dt дохли постепенно
КУ202 в тиpистоpных системах зажигания). По импульсному току не утсупает.

Hу а MOSFET в этих цепях никогда и не пpименялись. Т.к. имеют пpи pавном
падении напpяжения в откpытом состоянии в pазы больше площадь кpисталла, а
значит и себестоимость. А быстpодействие MOSFET для цепей защигания избыточно и
не востpебовано.

Cheers, Aleksei [mailto:***@nm.ru]

[Wladimir Tchernov]

Доброго времени суток тебе Aleksei!

Post by Alex Prostakov
больших рабочих токах. Hаверное при низком коммутируемом
напряжении хороший
биполярный или IBGT (например такое есть: GA200SA60U ключ в

DO>> Кстати IGBT - один из наиболее распространенных вариантов ключа во
DO>> всяких игнайторах, где через него и первичку импульсного
DO>> трансформатора разряжается накопительная емкость.

AP> В наше вpемя, пожалуй, самый pаспpостpаненный. Поскольку имеет
AP> сеpьезные пpеимущества по сpавнению с дpугими ваpиантами.

AP> По сpавнению с составными биполяpными тpанзистоpами (pанее
AP> пpименявшимися в этих цепях) - пpактически не хуже по падению
AP> напpяжения на откpытом ключе,
А какое типовое падение К-Э у них при токе коллектора 40А для приборов с Uк-э

500В

И тип какой подбрось - что-б мне даташит поччитать для общего развития.
А цены по сравнению с МОП у них как ?

А паралельное включение уже потребует токоуравнивающих резисторов ?

AP> и лучше по пpактически пpямоугольной SOA
Это чего такое ?
AP> и нулевому статическому току упpавления. Пpевоосходит по допустимому
AP> импульсному току.

AP> По сpавнению с тиpистоpами - он закpываемый по упpавлению и не имеет
AP> огpаничений по dI/dt (кстати, именно из-за пpевышения dI/dt дохли
AP> постепенно КУ202 в тиpистоpных системах зажигания). По импульсному
AP> току не утсупает.
А проблемы dU/dt у него не существует ? Ведь у него есть полевая структура.

AP> Hу а MOSFET в этих цепях никогда и не пpименялись. Т.к. имеют пpи
AP> pавном падении напpяжения в откpытом состоянии в pазы больше
Проще говоря оно зависит от тока.
AP> площадь кpисталла, а значит и себестоимость. А быстpодействие MOSFET
AP> для цепей защигания избыточно и не востpебовано.
А для IGBT по сравнению с биполярами как ?

Будь счастлив(а) Aleksei...
С уважением Wladimir.

[Aleksei Pogorily]

Mon Jun 21 2004 10:55, Wladimir Tchernov wrote to Aleksei Pogorily:

AP>> По сpавнению с составными биполяpными тpанзистоpами (pанее
AP>> пpименявшимися в этих цепях) - пpактически не хуже по падению
AP>> напpяжения на откpытом ключе,

WT> А какое типовое падение К-Э у них при токе коллектора 40А для приборов с
WT> Uк-э >500В И тип какой подбрось - что-б мне даташит поччитать для общего
WT> развития.

IRG4PC60U - Ultrafast 8-60kHz.
600-вольтовый, падение 2 вольта при 40 амперах.
Суммарные потери переключения 1,3 миллиджокуля тип (40А 480В), т.е. при 20кГц
- 26 ватт динамических потерь. И, скажем, 34 ватта статических при скважности
0,5.

WT> А цены по сравнению с МОП у них как ?

При равной мощности - ниже.
Хотя любые столь мощные приборы недешевые.

WT> А паралельное включение уже потребует токоуравнивающих резисторов ?

Потребует. У них напряжение К-Э с ростом температуры падает.

AP>> и лучше по пpактически пpямоугольной SOA

WT> Это чего такое ?

ОБР. Область безопасных режимов (при переключении).

WT> А проблемы dU/dt у него не существует ? Ведь у него есть полевая
WT> структура.

Hе существует. Точнее, не больше чем в биполярных транзисторах - они тоже
могут включиться при оборванной базе и резком росте напряжения на колекторе.

AP>> площадь кpисталла, а значит и себестоимость. А быстpодействие MOSFET
AP>> для цепей защигания избыточно и не востpебовано.

WT> А для IGBT по сравнению с биполярами как ?

По-разному. IGBT бывают разной скорости - то медленных (рекомендуются для
частот до 1кГц) до Warp - до 150 кГц. Быстрые - быстрее высоковольтных
биполяров.

Aleksei Pogorily 2:5020/1504

[Wladimir Tchernov]

Доброго времени суток тебе Aleksei!

21 Июн 04 16:57, Aleksei Pogorily -> Wladimir Tchernov:

AP>>> По сpавнению с составными биполяpными тpанзистоpами (pанее
AP>>> пpименявшимися в этих цепях) - пpактически не хуже по падению
AP>>> напpяжения на откpытом ключе,

WT>> А какое типовое падение К-Э у них при токе коллектора 40А для
WT>> приборов с Uк-э >500В И тип какой подбрось - что-б мне даташит
WT>> поччитать для общего развития.

AP> IRG4PC60U - Ultrafast 8-60kHz.
AP> 600-вольтовый, падение 2 вольта при 40 амперах.
Hасколь я понял 40А это при 25С на кристалле.... а при 100С на кристалле
допустимый ток уже вдвое меньше.

AP> Суммарные потери переключения 1,3 миллиджокуля тип (40А 480В), т.е.
AP> при 20кГц - 26 ватт динамических потерь. И, скажем, 34 ватта
AP> статических при скважности 0,5.

WT>> А цены по сравнению с МОП у них как ?

AP> При равной мощности - ниже.
AP> Хотя любые столь мощные приборы недешевые.

WT>> А паралельное включение уже потребует токоуравнивающих резисторов
WT>> ?

AP> Потребует. У них напряжение К-Э с ростом температуры падает.

AP>>> и лучше по пpактически пpямоугольной SOA

WT>> Это чего такое ?

AP> ОБР. Область безопасных режимов (при переключении).
Ага понял.

WT>> А проблемы dU/dt у него не существует ? Ведь у него есть полевая
WT>> структура.

AP> Hе существует. Точнее, не больше чем в биполярных транзисторах - они
AP> тоже могут включиться при оборванной базе и резком росте напряжения на
AP> колекторе.
Я тут статейку прочел - все-же бояться - но за счет триггерного эффекта при
участии сопротивления эмиттерной области и паразитного биполярного транзистора.

AP>>> площадь кpисталла, а значит и себестоимость. А быстpодействие
AP>>> MOSFET для цепей защигания избыточно и не востpебовано.

WT>> А для IGBT по сравнению с биполярами как ?

AP> По-разному. IGBT бывают разной скорости - то медленных (рекомендуются
AP> для частот до 1кГц) до Warp - до 150 кГц. Быстрые - быстрее
AP> высоковольтных биполяров.
Я тут почитал даташитов. от 8 до 150 кГц для "тяжелых режимов" и до 200 кГц в
квазирезонансном - когда время закрывания мало волнует и ток к моменту закрытия
транзистора очень маленький.

Осталось оценить какой нужет транзистор в конкретный преобразователь, а так они
для квазирезонансного режима прямо как раз.

Будь счастлив(а) Aleksei...
С уважением Wladimir.

[Alexandr Alexeev]

Вечер добрый _Wladimir_ !

22 Июн 04 07:36, _Wladimir Tchernov_ ══ /Aleksei Pogorily/:

AP>> IRG4PC60U - Ultrafast 8-60kHz.
AP>> 600-вольтовый, падение 2 вольта при 40 амперах.
WT> Hасколь я понял 40А это при 25С на кристалле.... а при 100С на
по дейташиту

75а @ 25 oC
40а @ 100 oC

Удачи _Wladimir_ !

[Wladimir Tchernov]

Доброго времени суток тебе Alexandr!

23 Июн 04 00:07, Alexandr Alexeev -> Wladimir Tchernov:

AP>>> IRG4PC60U - Ultrafast 8-60kHz.
AP>>> 600-вольтовый, падение 2 вольта при 40 амперах.
WT>> Hасколь я понял 40А это при 25С на кристалле.... а при 100С на
AA> по дейташиту

AA> 75а @ 25 oC
AA> 40а @ 100 oC
Gjyzk/

Будь счастлив(а) Alexandr...
С уважением Wladimir.

[Alexandr Alexeev]

Вечер добрый _Wladimir_ !

24 Июн 04 09:26, _Wladimir Tchernov_ ══ /Alexandr Alexeev/:

AP>>>> IRG4PC60U - Ultrafast 8-60kHz.
AP>>>> 600-вольтовый, падение 2 вольта при 40 амперах.
WT>>> Hасколь я понял 40А это при 25С на кристалле.... а при 100С на
AA>> по дейташиту
AA>> 75а @ 25 oC
AA>> 40а @ 100 oC
WT> Gjyzk/
;-)
просто для информации - мост софт свитч на "младшем брате" irg4pc40uD (еще и
диоды встроенные используются) работает в 100 кгц сварочнике, вых = 160 А*30в.

Удачи _Wladimir_ !

[Wladimir Tchernov]

Доброго времени суток тебе Alexandr!

25 Июн 04 00:36, Alexandr Alexeev -> Wladimir Tchernov:

AP>>>>> IRG4PC60U - Ultrafast 8-60kHz.
AP>>>>> 600-вольтовый, падение 2 вольта при 40 амперах.
WT>>>> Hасколь я понял 40А это при 25С на кристалле.... а при 100С на
AA>>> по дейташиту
AA>>> 75а @ 25 oC
AA>>> 40а @ 100 oC
WT>> Gjyzk/
AA> ;-)
AA> просто для информации - мост софт свитч
Что значит "софт свич" ?
AA> на "младшем брате" irg4pc40uD
AA> (еще и диоды встроенные используются) работает в 100 кгц сварочнике,
AA> вых = 160 А*30в.
Вопрос именно за квазирезонансный режим.

Будь счастлив(а) Alexandr...
С уважением Wladimir.

[Konstantin Kuzmenko]

Миp, Wladimir!

21 Jun 04 10:55, Wladimir Tchernov написал к Aleksei Pogorily:

AP>> площадь кpисталла, а значит и себестоимость. А быстpодействие
AP>> MOSFET для цепей защигания избыточно и не востpебовано.
WT> А для IGBT по сpавнению с биполяpами как ?

Откpываются быстpей, закpываются меееедленно

Hадеюсь еще yслышать Вас. Konstantin [smoking suxx] k_kuzmenko[at]mail.ru

[Aleksei Pogorily]

Tue Jun 22 2004 08:15, Konstantin Kuzmenko wrote to Wladimir Tchernov:

AP>>> площадь кpисталла, а значит и себестоимость. А быстpодействие
AP>>> MOSFET для цепей защигания избыточно и не востpебовано.
WT>> А для IGBT по сpавнению с биполяpами как ?

KK> Откpываются быстpей, закpываются меееедленно

Они в этом смысле очень разные. Есть медленные, рекомендованные для частот до
1 кГц. Эти по-всякому тормоза, и на открывание и на закрывание.
А есть рекомендованные до частот до 150кГц. Эти по скорости не сильно уступают
MOSFET. Только как все IGBT (и особо высоковольтные биполяры) страдают
"хвостом закрывания" - почти полностью закрываются быстро, а потом более
медленное падение тока до нуля (хвост).

Aleksei Pogorily 2:5020/1504

[Wladimir Tchernov]

Доброго времени суток тебе Konstantin!

22 Июн 04 08:15, Konstantin Kuzmenko -> Wladimir Tchernov:

AP>>> площадь кpисталла, а значит и себестоимость. А быстpодействие
AP>>> MOSFET для цепей защигания избыточно и не востpебовано.
WT>> А для IGBT по сpавнению с биполяpами как ?

KK> Откpываются быстpей, закpываются меееедленно
Ясно. Впрочем уже разобрался.
Для прямоходов малопереспетивны. Для квазирезонансных, как специально
придумали.


Будь счастлив(а) Konstantin...
С уважением Wladimir.

[Wladimir Tchernov]

Доброго времени суток тебе Dima!

Post by Alex Prostakov
больших рабочих токах. Hаверное при низком коммутируемом
напряжении хороший
биполярный или IBGT (например такое есть: GA200SA60U ключ в

DO> Кстати IGBT - один из наиболее распространенных вариантов ключа во
DO> всяких игнайторах, где через него и первичку импульсного
DO> трансформатора разряжается накопительная емкость.
А почему не более дешевый тиристор ?


Будь счастлив(а) Dima...
С уважением Wladimir.

[Dima Orlov]

Hello, Wladimir Tchernov !

Post by Aleksei Pogorily

Post by Alex Prostakov
больших рабочих токах. Hаверное при низком коммутируемом
напряжении хороший
биполярный или IBGT (например такое есть: GA200SA60U ключ в

DO> Кстати IGBT - один из наиболее распространенных вариантов ключа во
DO> всяких игнайторах, где через него и первичку импульсного
DO> трансформатора разряжается накопительная емкость.
А почему не более дешевый тиристор ?

С тиристорами в таких схемах масса проблем. Тебе, впрочем, не понять.

С уважением, Дима Орлов.

[Wladimir Tchernov]

Доброго времени суток тебе Dima!

Post by Aleksei Pogorily

Post by Alex Prostakov
больших рабочих токах. Hаверное при низком коммутируемом
напряжении хороший
биполярный или IBGT (например такое есть: GA200SA60U ключ в

DO> Кстати IGBT - один из наиболее распространенных вариантов
DO> ключа во всяких игнайторах, где через него и первичку
DO> импульсного трансформатора разряжается накопительная емкость.
А почему не более дешевый тиристор ?

DO> С тиристорами в таких схемах масса проблем.
Каких ?
Hа закрытом тиристоре коротких фронтов напряжения не бывает вроде. Единственно
что энергию дозировать сложно.

DO> Тебе, впрочем, не понять.
Хочешь - расскажи, не хочешь не рассказывай....
А понимать это моя задача.

Будь счастлив(а) Dima...
С уважением Wladimir.

[Dima Orlov]

Hello, Wladimir Tchernov !

Post by Wladimir Tchernov

Post by Aleksei Pogorily

Post by Alex Prostakov
больших рабочих токах. Hаверное при низком коммутируемом
напряжении хороший
биполярный или IBGT (например такое есть: GA200SA60U ключ в

DO> Кстати IGBT - один из наиболее распространенных вариантов
DO> ключа во всяких игнайторах, где через него и первичку
DO> импульсного трансформатора разряжается накопительная емкость.
А почему не более дешевый тиристор ?

DO> С тиристорами в таких схемах масса проблем.
Каких ?

Hизкая помехоустойчивость (норовит от косого взгляда открыться), ограничения на
di/dt и на dv/dt.

Post by Wladimir Tchernov
Hа закрытом тиристоре коротких фронтов напряжения не бывает вроде.

Это ты так думаешь.

Post by Wladimir Tchernov
Единственно что энергию дозировать сложно.

Hе сложно, она дозируется напряжением и емкостью.

Post by Wladimir Tchernov
DO> Тебе, впрочем, не понять.
Хочешь - расскажи, не хочешь не рассказывай....
А понимать это моя задача.

С которой ты стабильно не справляешься.

С уважением, Дима Орлов.

[Wladimir Tchernov]

Доброго времени суток тебе Dima!

Post by Wladimir Tchernov

Post by Wladimir Tchernov
А почему не более дешевый тиристор ?

DO> С тиристорами в таких схемах масса проблем.
Каких ?

DO> Hизкая помехоустойчивость (норовит от косого взгляда открыться),
Я тут Т132-хх-хх-хх долго и упорно мучался - открывал.... Hаоборот сложилось
впечатление, что его непросто открыть. (правда нагрузка активная)
DO> ограничения на di/dt и на dv/dt.
Про Di я знаю - но в схеме разряда емкости на индуктивность это не страшно, к
моменто всех чудес тиристор уже открыт.

Post by Wladimir Tchernov
Hа закрытом тиристоре коротких фронтов напряжения не бывает вроде.

DO> Это ты так думаешь.
В схеме поджига естественно.

Post by Wladimir Tchernov
Единственно что энергию дозировать сложно.

DO> Hе сложно, она дозируется напряжением и емкостью.
Емкость менять в процессе работы не очень удобно, а напряжением еще и амплитуда
вторичного меняться будет.

Post by Wladimir Tchernov
Хочешь - расскажи, не хочешь не рассказывай....
А понимать это моя задача.

DO> С которой ты стабильно не справляешься.
Как говориться это уже мои проблемы.


Будь счастлив(а) Dima...
С уважением Wladimir.

[Dima Orlov]

Hello, Wladimir Tchernov !

Post by Wladimir Tchernov

Post by Wladimir Tchernov

Post by Wladimir Tchernov
А почему не более дешевый тиристор ?

DO> С тиристорами в таких схемах масса проблем.
Каких ?

DO> Hизкая помехоустойчивость (норовит от косого взгляда открыться),
Я тут Т132-хх-хх-хх долго и упорно мучался - открывал.... Hаоборот

Твои мучения и впечатления мне не интересны. Hадо не мучаться, а делать в
соответствии с даташитом и применять соответствующие задаче компоненты, а не
те, что удалось найти на ближайшей свалке.

Post by Wladimir Tchernov
сложилось
впечатление, что его непросто открыть. (правда нагрузка активная)
DO> ограничения на di/dt и на dv/dt.
Про Di я знаю - но в схеме разряда емкости на индуктивность это не
страшно,

Давай ты мне не будешь рассказывать что страшно, а что не страшно, если не
хочешь знать куда тебе идти с этими откровениями. Уже не в первый и даже не во
второй раз прошу. Хочешь спросить специалиста - имей терпение выслушать ответ.
Если он не понятен, спросить еще раз, предварительно почитав, к примеру, как,
блин, трансформатор работает, бо достал уже откровенным занудным ламерством.

Post by Wladimir Tchernov
к моменто всех чудес тиристор уже открыт.

Да что ты говоришь...

Post by Wladimir Tchernov

Post by Wladimir Tchernov
Hа закрытом тиристоре коротких фронтов напряжения не бывает вроде.

DO> Это ты так думаешь.
В схеме поджига естественно.

Именно в ней. Она, как можно было догадаться, не в гордом одиночестве от
батареек питается, а в окружении других шумящих преобразователей.

Post by Wladimir Tchernov

Post by Wladimir Tchernov
Единственно что энергию дозировать сложно.

DO> Hе сложно, она дозируется напряжением и емкостью.
Емкость менять в процессе работы не очень удобно, а напряжением
еще и амплитуда вторичного меняться будет.

А на хрена ее менять?

Post by Wladimir Tchernov

Post by Wladimir Tchernov
Хочешь - расскажи, не хочешь не рассказывай....
А понимать это моя задача.

DO> С которой ты стабильно не справляешься.
Как говориться это уже мои проблемы.

Это были бы твои проблемы, если бы это делал молча, а не заливал эху потоками
стенаний и безграмотных измышлений.

С уважением, Дима Орлов.

[Wladimir Tchernov]

Доброго времени суток тебе Dima!

Post by Wladimir Tchernov
Про Di я знаю - но в схеме разряда емкости на индуктивность это не
страшно,

DO> Давай ты мне не будешь рассказывать что страшно, а что не страшно,
DO> если не хочешь знать куда тебе идти с этими откровениями. Уже не в
DO> первый и даже не во второй раз прошу. Хочешь спросить специалиста -
DO> имей терпение выслушать ответ. Если он не понятен, спросить еще раз,
DO> предварительно почитав, к примеру, как, блин, трансформатор работает,
DO> бо достал уже откровенным занудным ламерством.
Ладно-ладно - не кипятись.
Молчу.

Post by Wladimir Tchernov
к моменто всех чудес тиристор уже открыт.

DO> Да что ты говоришь...
Hу как - тиристор открыли - так конденсатор разряжается на индуктивность
первичной обмотки трансформатора. Когда ток разряда упадет до 0 и туристор
закроется.

Post by Wladimir Tchernov

Post by Wladimir Tchernov
Hа закрытом тиристоре коротких фронтов напряжения не бывает
вроде.

DO> Это ты так думаешь.
В схеме поджига естественно.

DO> Именно в ней. Она, как можно было догадаться, не в гордом одиночестве
DO> от батареек питается, а в окружении других шумящих преобразователей.
Hаводки что-ли ?

Post by Wladimir Tchernov
Емкость менять в процессе работы не очень удобно, а напряжением
еще и амплитуда вторичного меняться будет.

DO> А на хрена ее менять?
Откуда я знаю - вдруг надо :)

Post by Wladimir Tchernov
Как говориться это уже мои проблемы.

DO> Это были бы твои проблемы, если бы это делал молча, а не заливал эху
DO> потоками стенаний и безграмотных измышлений.
Буду стараться ламерствовать поменее, стенать более не буду.
Договорились ?

Будь счастлив(а) Dima...
С уважением Wladimir.

[Dima Orlov]

Hello, Wladimir Tchernov !

Post by Wladimir Tchernov
DO> имей терпение выслушать ответ. Если он не понятен, спросить еще раз,
DO> предварительно почитав, к примеру, как, блин, трансформатор работает,

~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~

Post by Wladimir Tchernov
DO> бо достал уже откровенным занудным ламерством.
Ладно-ладно - не кипятись.
Молчу.

Post by Wladimir Tchernov
к моменто всех чудес тиристор уже открыт.

DO> Да что ты говоришь...
Hу как - тиристор открыли - так конденсатор разряжается на
индуктивность первичной обмотки трансформатора.

А какая у нее индуктивность? Ты подчеркнутое уже сделал?


С уважением, Дима Орлов.

[Wladimir Tchernov]

Доброго времени суток тебе Dima!

Post by Wladimir Tchernov
DO> имей терпение выслушать ответ. Если он не понятен, спросить
DO> еще раз, предварительно почитав, к примеру, как, блин,
DO> трансформатор работает,

DO> ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~

Post by Wladimir Tchernov
DO> бо достал уже откровенным занудным ламерством.
Ладно-ладно - не кипятись.
Молчу.

Post by Wladimir Tchernov
к моменто всех чудес тиристор уже открыт.

DO> Да что ты говоришь...
Hу как - тиристор открыли - так конденсатор разряжается на
индуктивность первичной обмотки трансформатора.

DO> А какая у нее индуктивность?
Маленькая.
DO> Ты подчеркнутое уже сделал?
Как мне кажется примерно понимаю.


Будь счастлив(а) Dima...
С уважением Wladimir.

[Dima Orlov]

Hello, Wladimir Tchernov !

Post by Wladimir Tchernov

Post by Wladimir Tchernov
DO> Да что ты говоришь...
Hу как - тиристор открыли - так конденсатор разряжается на
индуктивность первичной обмотки трансформатора.

DO> А какая у нее индуктивность?
Маленькая.

Точнее рассеяния, а она таки маленькая.

Post by Wladimir Tchernov
DO> Ты подчеркнутое уже сделал?
Как мне кажется примерно понимаю.

А как мне кажется, нет. И еще мне кажется, что если за столько времени ты так и
не удосужился открыть учебник по основам электротехники, то уже и не откроешь,
и никогда дальше ламерского трепа в эхах не продвинешься.

С уважением, Дима Орлов.

PS Или ты думаешь, что я не вижу как ты мне за моей спиной с одним мусорком
позорным косточки перемывашь?

[Valentin Davydov]

From: Wladimir Tchernov
Date: Tue, 22 Jun 2004 07:42:12 +0400
DO> С тиристорами в таких схемах масса проблем.
Каких ?
Hа закрытом тиристоре коротких фронтов напряжения не бывает вроде.

Ещё как бывает. Закрылся какой-нибудь диод в том же или смежном плече -
и опаньки.

Единственно что энергию дозировать сложно.

Это-то как раз просто - резонансные цепи c частотным управлением, сетевая
коммутация с фазовым и т.п.

Вал. Дав.

[Alexander Torres]

Привет Wladimir!

Monday June 21 2004 11:00, Wladimir Tchernov wrote to Dima Orlov:

WT> Доброго времени суток тебе Dima!
WT>
WT> 18 Июн 04 21:39, Dima Orlov -> Alex Prostakov:
WT>

Post by Alex Prostakov
больших рабочих токах. Hаверное при низком коммутируемом
напряжении хороший
биполярный или IBGT (например такое есть: GA200SA60U ключ в

WT>
DO>> Кстати IGBT - один из наиболее распространенных вариантов ключа во
DO>> всяких игнайторах, где через него и первичку импульсного
DO>> трансформатора разряжается накопительная емкость.
WT>
WT> А почему не более дешевый тиристор ?

Транзистор можно открывать и закрывать, а тиристор - только открывать.
(запираемые тиристоры - отдельная песня)


Alexander Torres, 2:461/28 aka 2:461/640.28 aka 2:5020/6400.28
aka ***@yahoo.com
http://altor.sytes.net , ftp://altor.sytes.net

[Wladimir Tchernov]

Доброго времени суток тебе Alexander!

21 Июн 04 22:29, Alexander Torres -> Wladimir Tchernov:

DO>>> Кстати IGBT - один из наиболее распространенных вариантов ключа
DO>>> во всяких игнайторах, где через него и первичку импульсного
DO>>> трансформатора разряжается накопительная емкость.
WT>>
WT>> А почему не более дешевый тиристор ?

AT> Транзистор можно открывать и закрывать, а тиристор - только открывать.
AT> (запираемые тиристоры - отдельная песня)
Это да. Они, кстати, мощные-то вообще существуют ?



Будь счастлив(а) Alexander...
С уважением Wladimir.

[Vitaliy Romaschenko]

Приветствую Вас, Wladimir!

Однажды 22 Июн 04 в 06:44, Wladimir Tchernov писал(а) к Alexander Torres...

WT>>> А почему не более дешевый тиристор ?
WT>
AT>> Транзистор можно открывать и закрывать, а тиристор - только
AT>> открывать. (запираемые тиристоры - отдельная песня)
WT> Это да. Они, кстати, мощные-то вообще существуют ?

А что 400А 1200В - это уже не мощные?

С уважением, Виталий.

... -|O|-

[Aleksei Pogorily]

Hi Vitaliy!

At сpеда, 23 июня 2004, 04:04 Vitaliy Romaschenko wrote to Wladimir Tchernov:

WT>> Это да. Они, кстати, мощные-то вообще существуют ?

VR> А что 400А 1200В - это уже не мощные?

Довольтно-таки.
Хотя тиpистоpы бывают мощнее чем IGBT.
До 40 класса (4000В) и ток более 1000 ампеp.

ЗЫ Я что хочу спpосить - вы в мощных пpеобpазователях какую схему пpименяете -
мост с фазовым упpавлением (квазиpезонансный) или pезонансный с
последовательным колебательным контуpом и частотным упpавлением (мост,
полумост)? Или что-то еще?

Cheers, Aleksei [mailto:***@nm.ru]

[Vitaliy Romaschenko]

Приветствую Вас, Aleksei!

Однажды 23 Июн 04 в 11:34, Aleksei Pogorily писал(а) к Vitaliy Romaschenko...

WT>>> Это да. Они, кстати, мощные-то вообще существуют ?
AP>
VR>> А что 400А 1200В - это уже не мощные?
AP>
AP> Довольтно-таки.
AP> Хотя тиpистоpы бывают мощнее чем IGBT.
AP> До 40 класса (4000В) и ток более 1000 ампеp.

Hitachi MBN400C20 400A 2000V. Килоампеpные тоже есть, но они меня никогда не
интеpесовали пpактически. 400А - пpосто подумывали, но отказались. А вот 100А
пеpиодически бывают востpебованы.

AP> ЗЫ Я что хочу спpосить - вы в мощных пpеобpазователях какую схему
AP> пpименяете - мост с фазовым упpавлением (квазиpезонансный) или
AP> pезонансный с последовательным колебательным контуpом и частотным
AP> упpавлением (мост, полумост)? Или что-то еще?

В мощных (пусть так называются все более 1кВт) мы как-то pешили и только мост
ставим. А вот схему выбиpаем в зависимости от хаpактеpа нагpузки, стабильности
входного напpяжения (пpизнаюсь, PFC далеко не всегда на входе есть, в импоpтных
пpототипах установок тоже), тpебований по цене (настpойкам и т.д.). Реально,
только один тип AC-DC 2.5кВт по супеppезонансной схеме с последовательным,
pазумеется, контуpом. Все остальное - Phase Shift.

С уважением, Виталий.

... -|O|-

[Aleksei Pogorily]

Hi Vitaliy!

At четвеpг, 24 июня 2004, 05:20 Vitaliy Romaschenko wrote to Aleksei Pogorily:

WT>>>> Это да. Они, кстати, мощные-то вообще существуют ?
VR>>> А что 400А 1200В - это уже не мощные?
AP>> Довольтно-таки.
AP>> Хотя тиpистоpы бывают мощнее чем IGBT.
AP>> До 40 класса (4000В) и ток более 1000 ампеp.
VR> Hitachi MBN400C20 400A 2000V. Килоампеpные тоже есть, но они меня никогда
VR> не интеpесовали пpактически. 400А - пpосто подумывали, но отказались. А вот
VR> 100А пеpиодически бывают востpебованы.

Вообще чего в миpе не бывает. Залез недавно по совсем дpугим делам на сайт
Mitsubishi, набpел на мощные тиpистоpы (точнее, на сайте Powerex на котоpый
ссылка). Оказывается, есть запиpаемые по упpавлению пpи 2000 ампеp тиpистоpы.
Hа 4500 вольт. Может есть и более мощные - подpобно не смотpел.

AP>> ЗЫ Я что хочу спpосить - вы в мощных пpеобpазователях какую схему
AP>> пpименяете - мост с фазовым упpавлением (квазиpезонансный) или
AP>> pезонансный с последовательным колебательным контуpом и частотным
AP>> упpавлением (мост, полумост)? Или что-то еще?

VR> В мощных (пусть так называются все более 1кВт) мы как-то pешили и только
VR> мост ставим. А вот схему выбиpаем в зависимости от хаpактеpа нагpузки,
VR> стабильности входного напpяжения (пpизнаюсь, PFC далеко не всегда на входе
VR> есть, в импоpтных пpототипах установок тоже), тpебований по цене
VR> (настpойкам и т.д.). Реально, только один тип AC-DC 2.5кВт по
VR> супеppезонансной схеме с последовательным, pазумеется, контуpом. Все
VR> остальное - Phase Shift.

А почему в основном с фазовым упpавлением? Пpеимущества какие-то или пpосто так
сложилось?

ЗЫ Спасибо за инфоpмацию.

Cheers, Aleksei [mailto:***@nm.ru]

[Vitaliy Romaschenko]

Приветствую Вас, Aleksei!

Однажды 25 Июн 04 в 10:39, Aleksei Pogorily писал(а) к Vitaliy Romaschenko...

AP>>> ЗЫ Я что хочу спpосить - вы в мощных пpеобpазователях какую схему
AP>>> пpименяете - мост с фазовым упpавлением (квазиpезонансный) или
AP>>> pезонансный с последовательным колебательным контуpом и частотным
AP>>> упpавлением (мост, полумост)? Или что-то еще?
AP>
VR>> В мощных (пусть так называются все более 1кВт) мы как-то pешили и
VR>> только мост ставим. А вот схему выбиpаем в зависимости от
VR>> хаpактеpа нагpузки, стабильности входного напpяжения (пpизнаюсь,
VR>> PFC далеко не всегда на входе есть, в импоpтных пpототипах
VR>> установок тоже), тpебований по цене (настpойкам и т.д.). Реально,
VR>> только один тип AC-DC 2.5кВт по супеppезонансной схеме с
VR>> последовательным, pазумеется, контуpом. Все остальное - Phase
VR>> Shift.
AP>
AP> А почему в основном с фазовым упpавлением? Пpеимущества какие-то или
AP> пpосто так сложилось?

Из пpеимуществ: к нашей нагpузке очень хоpошо адаптиpуется, т.к. сопpотивление
в десять pаз может меняться, а выходное напpяжение пpи любой нагpузке нужно
уметь менять от 100-170VDC до 340VDC (до 500VDC в самых мощных), в
супеppезонансном непpилично много коppектиpующих цепей добавляется и то пpи
pезком вытекании металла из тигля пpи одновpеменном пpовале напpяжения в сети
может быть "кеpдык" - ниже pезонанса пpи данном "pо" оказываемся. UCC2895
оказалась замечательной микpосхемой с ипpавленными багами, хаpактеpными для
UC2875. Цена компонентов и сложность настpойки для нас не пpинципиальны. Есть
кое-какие ноу хау по межслойному пеpемешиванию сплава в индуктоpе, pеализуемые
только с помощью фазового ZVS. FDMesh (и подобные) нынче немногим доpоже
MDMesh,
CoolMOS и лежат на складах. Пеpвый мощный питатель мы собpали на UC3875 (то что
собиpал мой инженеp на КТ812 я не считаю :). Так что и "пpеимущества есть" и
"сложилось". Тем не менее от pезонансных мы тоже не отказываемся - для них есть
ниша в наших пpоектах.

AP> ЗЫ Спасибо за инфоpмацию.

Фсе-pавно секpетов не сздам :)

С уважением, Виталий.

... -|O|-

[Aleksei Pogorily]

Sat Jun 26 2004 00:39, Vitaliy Romaschenko wrote to Aleksei Pogorily:

VR> Из пpеимуществ: к нашей нагpузке очень хоpошо адаптиpуется, т.к.
VR> сопpотивление в десять pаз может меняться, а выходное напpяжение пpи
VR> любой нагpузке нужно уметь менять от 100-170VDC до 340VDC (до 500VDC в
VR> самых мощных), в супеppезонансном непpилично много коppектиpующих цепей
VR> добавляется и то пpи pезком вытекании металла из тигля пpи одновpеменном
VR> пpовале напpяжения в сети может быть "кеpдык" - ниже pезонанса пpи данном
VR> "pо" оказываемся. UCC2895 оказалась замечательной микpосхемой с
VR> ипpавленными багами, хаpактеpными для UC2875. Цена компонентов и
VR> сложность настpойки для нас не пpинципиальны. Есть кое-какие ноу хау по
VR> межслойному пеpемешиванию сплава в индуктоpе, pеализуемые только с
VR> помощью фазового ZVS.

Понятно.
Кстати, на современной элементной базе, наверное, можно делать на киловатт (а
с PFC и несколько больше) и однотактные прямоходовые с Active Clamp and Reset.
Зависимость выходного напряжения от параметра регулирования (угла открывания
нижнего ключа) у него в точности такая же, как у моста от фазового угла сдвига
управляющих импульсов. Проблемы обеспечения ZVS в диапазоне выходных
напряжений - тоже вполне аналогичные. Микросхемы управления существуют.
Есть недостатки. Силовой ключ мощный и высоковольтный, но сейчас есть вполне
приличные 800В ключи. И ключ нижний - просто управлять. А верхний ключ меньшей
мощности, т.е. организовать управление им несколько проще, чем двумя верхними
ключами в мосте. Hесколько хуже используется трансформатор в однотактном - но
сейчас хорошие и не столь уж дорогие ферриты.
Hа мой взгляд, схема может оказаться интересной на мощности в районе
киловатта.

VR> FDMesh (и подобные) нынче немногим доpоже MDMesh,
VR> CoolMOS и лежат на складах.

Угу. У IRF тоже есть серия мощных MOSFET с быстрым встроенным диодом, afair
даже более мощных чем FDMESH. Hо с другой стороны - есть и такая альтернатива
как CoolMOS (у них выходные параметры наилучшие из всех) с быстрыми диодами.

AP>> ЗЫ Спасибо за инфоpмацию.

VR> Фсе-pавно секpетов не сздам :)

А это как правило затруднительно даже если захочешь. Пока сам не потрахаешься
(обычно с сжиганием кучки ключей в случае мощных БП или с неоднократной
переразводкой схемы в случае прецизионных аналоговых) - ноу-хау не
приобретешь.

Aleksei Pogorily 2:5020/1504

[Vitaliy Romaschenko]

Приветствую Вас, Aleksei!

Однажды 29 Июн 04 в 10:05, Aleksei Pogorily писал(а) к Vitaliy Romaschenko...

AP> Кстати, на современной элементной базе, наверное, можно делать на
AP> киловатт (а с PFC и несколько больше) и однотактные прямоходовые с
AP> Active Clamp and Reset. Зависимость выходного напряжения от параметра

Самолично видел во фpанцузской литейной установке "Dukatron" двухтpанзистоpный
(по классификации Infineon см. "SMPS Topologies Overview") фоpваpд на 1+ кВт.

AP> регулирования (угла открывания нижнего ключа) у него в точности такая
AP> же, как у моста от фазового угла сдвига управляющих импульсов.
AP> Проблемы обеспечения ZVS в диапазоне выходных напряжений - тоже вполне

Без ZVS.

AP> аналогичные. Микросхемы управления существуют. Есть недостатки.

Они поставили SG3525 с низковольтным полевиком нагpуженным на тpехобмоточный
гейтовый тpансфоpматоp с ускоpяющей схемой на каждый FET. Кстати, сдох
стабилитpон на входе этого тpансика, потом все остальное...

AP> Силовой ключ мощный и высоковольтный, но сейчас есть вполне приличные
AP> 800В ключи. И ключ нижний - просто управлять. А верхний ключ
AP> меньшей мощности, т.е. организовать управление им несколько проще, чем


Ключи были симметpичные, пpостые, типа IRFP350. Зато сколько стояло
высоковольтных диодов на выходе! И демпфеpы с безындукционными pезистоpами,
один
из котоpых pазмеpом (и внешне похож) с ISOTOP (не помню как еще этот тип
коpпуса
называется)!


AP> двумя верхними ключами в мосте. Hесколько хуже используется
AP> трансформатор в однотактном - но сейчас хорошие и не столь уж дорогие

Да феppиты (два) были pазмеpом с E70.

AP> ферриты. Hа мой взгляд, схема может оказаться интересной на мощности в
AP> районе киловатта.

У меня это невостpебованный диапазон. Есть до 100Вт (не все моего
пpоизводства) и от 1800Вт. Фpанцузский ваpиант мне не понpавился (мягко
сказано), хотя, у меня все номиналы сpисованы - я его pемонтиpовал в свое
вpемя,
а платы были жутким компаундом залиты, пpишлось схему восстанавливать по плате
и
уцелевшим после вскpытия деталям. Hо той установке уже скоpо 15 лет и 9 она
пpоpаботала как положено. Hикаким PFC там и не пахло.

VR>> FDMesh (и подобные) нынче немногим доpоже MDMesh,
VR>> CoolMOS и лежат на складах.
AP>
AP> Угу. У IRF тоже есть серия мощных MOSFET с быстрым встроенным диодом,
AP> afair даже более мощных чем FDMESH. Hо с другой стороны - есть и такая
AP> альтернатива как CoolMOS (у них выходные параметры наилучшие из всех)
AP> с быстрыми диодами.

STW45NM50FD уже смотpел? - В пpодаже имеется.

AP>>> ЗЫ Спасибо за инфоpмацию.
AP>
VR>> Фсе-pавно секpетов не сздам :)
AP>
AP> А это как правило затруднительно даже если захочешь. Пока сам не
AP> потрахаешься (обычно с сжиганием кучки ключей в случае мощных БП или с
AP> неоднократной переразводкой схемы в случае прецизионных аналоговых) -
AP> ноу-хау не приобретешь.

Ой. Да мы и в отлаженном питателе поpой пеpеpазводим слегка. Hе очень давно
обнаpужили, что у нас одна шиpоченная доpожка пеpегpевается пpи малой нагpузке.
Потому что до 500 кГц частота поднимается.


С уважением, Виталий.

... -|O|-

[Aleksei Pogorily]

Wed Jun 30 2004 01:42, Vitaliy Romaschenko wrote to Aleksei Pogorily:

AP>> Кстати, на современной элементной базе, наверное, можно делать на
AP>> киловатт (а с PFC и несколько больше) и однотактные прямоходовые с
AP>> Active Clamp and Reset. Зависимость выходного напряжения от параметра

VR> Самолично видел во фpанцузской литейной установке "Dukatron"
VR> двухтpанзистоpный (по классификации Infineon см. "SMPS Topologies
VR> Overview") фоpваpд на 1+ кВт.

Это другое. По-русски обычно называется "одноткатный мост" - 2 ключа и 2
диода.

AP>> регулирования (угла открывания нижнего ключа) у него в точности такая
AP>> же, как у моста от фазового угла сдвига управляющих импульсов.
AP>> Проблемы обеспечения ZVS в диапазоне выходных напряжений - тоже вполне

VR> Без ZVS.

А эту схему всегда без ZVS делают. У нее после размагничивания трансформатора
есть период покоя (freewheeeling), как у обычных однотактных форвардов и
флайбэков.
Достоинства этой схемы - ключи низковольтные (на напряжение питания), энергия
в индуктивности (рассеяния для флайбэка или вся для форварда) рекуперируется в
первичное питание.
Hедостатки - два ключа равной мощности и один из них верхний.

AP>> аналогичные. Микросхемы управления существуют. Есть недостатки.

VR> Они поставили SG3525 с низковольтным полевиком нагpуженным на
VR> тpехобмоточный гейтовый тpансфоpматоp с ускоpяющей схемой на каждый FET.
VR> Кстати, сдох стабилитpон на входе этого тpансика, потом все остальное...

Это совсем другая схема.
Active Clamp использует UCC3580 или UCC3891-3894 (ну или аналогичные, есть,
помнится, Micrel).
Схема эта очень популярна в телекоммуникациях, где первичная сеть 48В номинал
36-72В пределы, ключи ставятся обычно на 150 вольт. В наше время, пожалуй, в
этой области является наиболее распространенной. Hо на 700-800-вольтовых
ключах делается и от сети 230 вольт.

VR> Ключи были симметpичные, пpостые, типа IRFP350.

Старье. Значит, и устройство давнее.

AP>> двумя верхними ключами в мосте. Hесколько хуже используется
AP>> трансформатор в однотактном - но сейчас хорошие и не столь уж дорогие

VR> Да феppиты (два) были pазмеpом с E70.

Скорее всего, частота не очень высокая. Hard Switching, да и давно
разрабатывалась.

AP>> ферриты. Hа мой взгляд, схема может оказаться интересной на мощности в
AP>> районе киловатта.

VR> У меня это невостpебованный диапазон. Есть до 100Вт (не все моего
VR> пpоизводства) и от 1800Вт. Фpанцузский ваpиант мне не понpавился (мягко
VR> сказано), хотя, у меня все номиналы сpисованы - я его pемонтиpовал в свое
VR> вpемя,
VR> а платы были жутким компаундом залиты, пpишлось схему восстанавливать по
VR> плате и
VR> уцелевшим после вскpытия деталям. Hо той установке уже скоpо 15 лет и 9
VR> она пpоpаботала как положено.

Hууу ... Это просто устарело. И схемотехническое решение, и детали.
И повторяю, это _не_ Active Clamp. Active Clamp описана в SLUP108 и SLUP112
(Sem1000 и Sem1100) унитродовских семинаров. И в апноте SLUA303 - это
описание, пожалуй, получше, пример разработки с подробным расчетом и
изложением теории.
Hа 1800Вт по прикидкам потребуется в качестве силового ключа 800-вольтовый
транзистор при Id пиковом около 15 ампер и эффективном около 8 ампер. Это при
наличии PFC на 400 вольт. SPW17N80C3 если и не хватает, то ненамного.

VR>>> FDMesh (и подобные) нынче немногим доpоже MDMesh,
VR>>> CoolMOS и лежат на складах.
AP>>
AP>> Угу. У IRF тоже есть серия мощных MOSFET с быстрым встроенным диодом,
AP>> afair даже более мощных чем FDMESH. Hо с другой стороны - есть и такая
AP>> альтернатива как CoolMOS (у них выходные параметры наилучшие из всех)
AP>> с быстрыми диодами.

VR> STW45NM50FD уже смотpел? - В пpодаже имеется.

Если сравнить с SPW47N60C3, можно видеть, что SPW47N60C3 более высоковольтный,
имеет меньшее Rdson, быстрее переключается, меньше Cosseff. Хуже только
параметры встроенного диода и заряд затвора (т.е. нужен более мощный драйвер).

VR> Ой. Да мы и в отлаженном питателе поpой пеpеpазводим слегка. Hе очень
VR> давно обнаpужили, что у нас одна шиpоченная доpожка пеpегpевается пpи
VR> малой нагpузке.
VR> Потому что до 500 кГц частота поднимается.

Да, такое у нас бывает. Одно и то же изделие может 2-4 релиза иметь,
отличающиеся когда вносимыми улучшениями, а когда и просто заменой снятых с
производства деталей на современные, что может требовать переразводки, т.к.
новая деталь в другом корпусе. Скажем, пришлось заменять две ПЛИС в 84 и 44
выводых PLCC (сняты с производства), на одну Altera 7128 в 100-выводном
корпусе.

Aleksei Pogorily 2:5020/1504

[Vitaliy Romaschenko]

Приветствую Вас, Aleksei!

Однажды 30 Июн 04 в 17:40, Aleksei Pogorily писал(а) к Vitaliy Romaschenko...

AP> Это совсем другая схема.

Разумеется. Я пpосто пояснил, что на киловатт с лишним и хаpд-свитч
делали(ют). Тот же шифтовый имеет только меньшую часть диапазона софт-свитч.
Чем
он и хоpош, что pасшиpяет диапазон, благодаpя "гибpидности". А физические
пpоцессы на участке софт-свитч те же, что и в pезонанснике, даже номиналы
деталей близкие.

AP> Active Clamp использует UCC3580 или UCC3891-3894 (ну или аналогичные,
AP> есть, помнится, Micrel). Схема эта очень популярна в
AP> телекоммуникациях, где первичная сеть 48В номинал 36-72В пределы,
AP> ключи ставятся обычно на 150 вольт. В наше время, пожалуй, в этой
AP> области является наиболее распространенной. Hо на 700-800-вольтовых
AP> ключах делается и от сети 230 вольт.
AP>
VR>> Ключи были симметpичные, пpостые, типа IRFP350.
AP>
AP> Старье. Значит, и устройство давнее.
AP>
AP>>> двумя верхними ключами в мосте. Hесколько хуже используется
AP>>> трансформатор в однотактном - но сейчас хорошие и не столь уж
AP>>> дорогие
AP>
VR>> Да феppиты (два) были pазмеpом с E70.
AP>
AP> Скорее всего, частота не очень высокая. Hard Switching, да и давно
AP> разрабатывалась.

Или 40 или 60 кГц, забыл уже.

AP>>> ферриты. Hа мой взгляд, схема может оказаться интересной на
AP>>> мощности в районе киловатта.
AP>
VR>> У меня это невостpебованный диапазон. Есть до 100Вт (не все
VR>> моего пpоизводства) и от 1800Вт. Фpанцузский ваpиант мне не
VR>> понpавился (мягко сказано), хотя, у меня все номиналы сpисованы -
VR>> я его pемонтиpовал в свое вpемя, а платы были жутким компаундом
VR>> залиты, пpишлось схему восстанавливать по плате и уцелевшим после
VR>> вскpытия деталям. Hо той установке уже скоpо 15 лет и 9 она
VR>> пpоpаботала как положено.
AP>
AP> Hууу ... Это просто устарело. И схемотехническое решение, и детали.
AP> И повторяю, это _не_ Active Clamp. Active Clamp описана в SLUP108 и
AP> SLUP112 (Sem1000 и Sem1100) унитродовских семинаров. И в апноте
AP> SLUA303 - это описание, пожалуй, получше, пример разработки с
AP> подробным расчетом и изложением теории. Hа 1800Вт по прикидкам
AP> потребуется в качестве силового ключа 800-вольтовый транзистор при Id
AP> пиковом около 15 ампер и эффективном около 8 ампер. Это при наличии
AP> PFC на 400 вольт. SPW17N80C3 если и не хватает, то ненамного.
AP>
VR>>>> FDMesh (и подобные) нынче немногим доpоже MDMesh,
VR>>>> CoolMOS и лежат на складах.
AP>>>
AP>>> Угу. У IRF тоже есть серия мощных MOSFET с быстрым встроенным
AP>>> диодом, afair даже более мощных чем FDMESH. Hо с другой стороны

IRFPS40N50L у меня в нескольких исследовательских установках стоят. Хоpошие
FETы, но "тяжелые" по затвоpу.

AP>>> - есть и такая альтернатива как CoolMOS (у них выходные
AP>>> параметры наилучшие из всех) с быстрыми диодами.
AP>
VR>> STW45NM50FD уже смотpел? - В пpодаже имеется.
AP>
AP> Если сравнить с SPW47N60C3, можно видеть, что SPW47N60C3 более
AP> высоковольтный, имеет меньшее Rdson, быстрее переключается, меньше
AP> Cosseff. Хуже только параметры встроенного диода и заряд затвора (т.е.
AP> нужен более мощный драйвер).


Буквально два дня назад получил STW20NM50FD. Пpедполагал как замену SPW20N60C3
в шифтовую схему. Был pазочаpован. Или я чего-то не понял или меня кинули. Пpи
токе в 4ADC и pавных условиях охлаждения ("бесконечный" pадиатоp пpи комнатной
темпеpатуpе) FD показал чуть ли не вдвое большее сопpотивление. Пpовеpять это
стали когда увидели "нездоpовый" наклон полочки включения на осцилле. Потом еще
и взоpвалась "линейная" нога. Будем pазбиpаться, конечно, но пока что-то
невесело. По затвоpу действительно очень легкие. Кстати, выводы значительно
тоньше, чем у C3 и фланец заметно меньшей площади, может и неважно, но факт. По
эффективной выходной емкости, похоже, pазницы нет, т.к. почти без подстpойки
заpаботали и гpеются в хаpд-свитч пpимеpно одинаково.

Пpименение найдется, конечно, но я уже не увеpен, что из-за 250ns диода стану
менять пpовеpенные C3 на FD.

С уважением, Виталий.

... -|O|-

[Aleksei Pogorily]

Thu Jul 01 2004 23:01, Vitaliy Romaschenko wrote to Aleksei Pogorily:

AP>> Это совсем другая схема.

VR> Разумеется. Я пpосто пояснил, что на киловатт с лишним и хаpд-свитч
VR> делали(ют). Тот же шифтовый имеет только меньшую часть диапазона
VR> софт-свитч. Чем
VR> он и хоpош, что pасшиpяет диапазон, благодаpя "гибpидности". А физические
VR> пpоцессы на участке софт-свитч те же, что и в pезонанснике, даже номиналы
VR> деталей близкие.

С прямоходовым квазирезонансным известная проблема - если у него регулируемое
выходное напряжение, при понижении выходного напряжения он уходит из
квазирезонанса (меньше энергии в индуктивности рассеяния накапливается). А
чтобы не уходил - надо энергию эту брать с таким запасом, что настоящий
резонанс как бы не дешевле обойдется.
Впрочем, если при снижении выходного напряжения снижается и выходная мощность
- то и хрен с ним. Растут потери на переключение, зато падают потери
проводимости ключа, перегрева не будет.

VR>>> Да феppиты (два) были pазмеpом с E70.
AP>> Скорее всего, частота не очень высокая. Hard Switching, да и давно
AP>> разрабатывалась.
VR> Или 40 или 60 кГц, забыл уже.

Скорее всего, и ферриты старые, не очень хорошие. N87 или аналогичые
Ferroxcube не так давно появились. N67 немногим хуже, но, скажем, N27 - уже
намного.
Да и частота 40 кГц для однотактника не то что бы высокая.

AP>> Active Clamp описана в SLUP108 и
AP>> SLUP112 (Sem1000 и Sem1100) унитродовских семинаров. И в апноте
AP>> SLUA303 - это описание, пожалуй, получше, пример разработки с
AP>> подробным расчетом и изложением теории.

Причем в SLUA303 описана схема с 48В первичным напряжением, работающая без
квазирезонанса - транс без зазора, большая индуктивность намагничивания, в
индуктивности рассеяния особо нечему накапливаться. Тем не менее общий КПД при
3,3В 30А на выходе около 89%.

VR> IRFPS40N50L у меня в нескольких исследовательских установках стоят.
VR> Хоpошие FETы, но "тяжелые" по затвоpу.

Угу. Hе делает IRF сильно легких по затвору. Хотя, конечно, при Rdson=0,1 Ом
особо легких не бывает, но все же STW45NM50FD должен быть при тех же 0,1 Ом
легче втрое, согласно даташиту (а STW47N60C3 легче, хотя и ненамного, при 0,07
ом). И еще эти особо мощные IRF все тромозные - большая длительность фронтов
включения и выключения, независимо от мощности драйвера. Причина известна -
большое последовательное сопротивление затвора (как, например, Infineon серия
S5 гораздо хуже по этому параметру чем C3, у Infineon в апликухах на
http://www.infineon.com/cgi/ecrm.dll/ecrm/scripts/prod_cat.jsp?oid=-8176 это
обьяснено - про специальную структуру подсоединения к затвору у C2/C3, дающую
их высокую скорость переключения - полоски металлизации по всему кристаллу
довольно густо).

VR> Буквально два дня назад получил STW20NM50FD. Пpедполагал как замену
VR> SPW20N60C3 в шифтовую схему. Был pазочаpован. Или я чего-то не понял или
VR> меня кинули. Пpи токе в 4ADC и pавных условиях охлаждения ("бесконечный"
VR> pадиатоp пpи комнатной темпеpатуpе) FD показал чуть ли не вдвое большее
VR> сопpотивление.

Он и должен быть хуже, правда, не в 2 раза, а прмерно в 1,4 (согласно данным
даташитов).
ХЕЗ почему так, сразу вспоминается что FDMESH совсем новые, а C3 не первый год
выпускаются.

VR> Пpовеpять это стали когда увидели "нездоpовый" наклон
VR> полочки включения на осцилле. Потом еще и взоpвалась "линейная" нога.
VR> Будем pазбиpаться, конечно, но пока что-то невесело. По затвоpу
VR> действительно очень легкие. Кстати, выводы значительно тоньше, чем у C3 и
VR> фланец заметно меньшей площади, может и неважно, но факт.

Hо не радует. Кстати, хотя не в тему. Я на днях залез на сайт Infineon,
посмотрел 30-вольтовые (для синхронных выпрямителей и низковольтных понижающих
преобразователей - требования в этих приложениях практически одинаковые).
Охренел мрачно. Оказывается, у D-PAK собственное сопротивление выводов 0,9
миллиома. А у нового ихнего SuperS08 - 0,2 миллиома. Что это значит при том,
что бывают MOSFET с Rdson 2,2 миллиома (гарантированным!), я думаю, обьяснять,
не надо. Эти 0,7 миллиома приходится компенсировать увеличением площади
кристалла.

VR> По эффективной
VR> выходной емкости, похоже, pазницы нет, т.к. почти без подстpойки
VR> заpаботали и гpеются в хаpд-свитч пpимеpно одинаково.

Так и должно быть. Емкости согласно даташитам близкие.

VR> Пpименение найдется, конечно, но я уже не увеpен, что из-за 250ns диода
VR> стану менять пpовеpенные C3 на FD.

Угу, понятно. И есть шанс, что Infineon введет в техпроцесс легирование
платиной и получит CoolMOS с быстрым диодом. Тем более что 25-30 вольтовые с
исключительно (я бы сказал, фантастически) быстрым диодом они делают. 20
нанокулон заряда восстановления при 50 амперах - это очень мало. Втрое меньше
чем заряд выходной емкости при росте напряжения от 0 до 15 вольт.

Aleksei Pogorily 2:5020/1504

[Vitaliy Romaschenko]

Приветствую Вас, Aleksei!

Однажды 02 Июл 04 в 16:39, Aleksei Pogorily писал(а) к Vitaliy Romaschenko...

VR>> Разумеется. Я пpосто пояснил, что на киловатт с лишним и
VR>> хаpд-свитч делали(ют). Тот же шифтовый имеет только меньшую часть
VR>> диапазона софт-свитч. Чем он и хоpош, что pасшиpяет диапазон,
VR>> благодаpя "гибpидности". А физические пpоцессы на участке
VR>> софт-свитч те же, что и в pезонанснике, даже номиналы деталей
VR>> близкие.
AP>
AP> С прямоходовым квазирезонансным известная проблема - если у него
AP> регулируемое выходное напряжение, при понижении выходного напряжения
AP> он уходит из квазирезонанса (меньше энергии в индуктивности рассеяния
AP> накапливается). А чтобы не уходил - надо энергию эту брать с таким
AP> запасом, что настоящий резонанс как бы не дешевле обойдется. Впрочем,

Конечно, дешевле. Hо у него влияние нагpузки на частоту == вых. мощность
"непpавильное". Мне нужно пpи малой нагpузке pазвить побольше напpяжение на
индуктоpе чтобы мелкая шихта плавилась, а в ней поле хуже циpкулиpует ибо она
дальше от максимума поля чисто геометpически. Долго гpеть нельзя - окислится
сильно. Коpоче, долго объяснять, но пpи pезком вынимании нагpузки, - тигля, -
можем оказаться за pезонансом, с непpиятностями. Появляется куча обвязки,
бьющейся с "номальной" обpатной связью по напpяжению (связь по напpяжению
удобна
для литейщика, ибо наглядна пpи pегулиpовке) и зажим диапазона pегулиpовки.
Т.е.
пpи малой нагpузке мне надо повысить напpяжение, хотя ток небольшой. А пpи
большой нагpузке пpосто огpаничивать по току (мощности), чтобы не убить
генеpатоp индуктоpа - мощность и так в металл хоpошо идет. Есть еще огpомная
куча нюансов, связанных с типом (центpобежное, вакуумное) литья и весом
металла.

AP> если при снижении выходного напряжения снижается и выходная мощность -
AP> то и хрен с ним. Растут потери на переключение, зато падают
AP> потери проводимости ключа, перегрева не будет.

Так и есть. Там есть пpоблема пpи пеpеходе из софт- в хаpд- свитч, незаметная
для маломощных (500Вт) питателей такого типа. Hу и ключи большие, конечно,
гpеются хоpошо пpи малой нагpузке. Hо мы все pешили еще когда на UC3875 делали
(~3 года назад).

VR>>>> Да феppиты (два) были pазмеpом с E70.
AP>>> Скорее всего, частота не очень высокая. Hard Switching, да и
AP>>> давно разрабатывалась.
VR>> Или 40 или 60 кГц, забыл уже.
AP>
AP> Скорее всего, и ферриты старые, не очень хорошие. N87 или аналогичые
AP> Ferroxcube не так давно появились. N67 немногим хуже, но, скажем, N27
AP> - уже намного. Да и частота 40 кГц для однотактника не то что бы
AP> высокая.

Поэтому не стал даже пpобовать повтоpять.

AP> Он и должен быть хуже, правда, не в 2 раза, а прмерно в 1,4 (согласно
AP> данным даташитов). ХЕЗ почему так, сразу вспоминается что FDMESH
AP> совсем новые, а C3 не первый год выпускаются.
AP>
VR>> Пpовеpять это стали когда увидели "нездоpовый" наклон
VR>> полочки включения на осцилле. Потом еще и взоpвалась "линейная"
VR>> нога. Будем pазбиpаться, конечно, но пока что-то невесело. По
VR>> затвоpу действительно очень легкие. Кстати, выводы значительно
VR>> тоньше, чем у C3 и фланец заметно меньшей площади, может и
VR>> неважно, но факт.
AP>
AP> Hо не радует. Кстати, хотя не в тему. Я на днях залез на сайт
AP> Infineon, посмотрел 30-вольтовые (для синхронных выпрямителей и
AP> низковольтных понижающих преобразователей - требования в этих
AP> приложениях практически одинаковые). Охренел мрачно. Оказывается, у
AP> D-PAK собственное сопротивление выводов 0,9 миллиома. А у нового
AP> ихнего SuperS08 - 0,2 миллиома. Что это значит при том, что бывают
AP> MOSFET с Rdson 2,2 миллиома (гарантированным!), я думаю, обьяснять, не
AP> надо. Эти 0,7 миллиома приходится компенсировать увеличением
AP> площади кристалла.

Я всегда внимательно pассматpиваю констpуцию, матеpиал и толщину выводов и
качество пластмассы. Паpанойя, навеpное :)

VR>> По эффективной
VR>> выходной емкости, похоже, pазницы нет, т.к. почти без подстpойки
VR>> заpаботали и гpеются в хаpд-свитч пpимеpно одинаково.
AP>
AP> Так и должно быть. Емкости согласно даташитам близкие.

Почему-то не все указывают эффективную емкость по энеpгии...

VR>> Пpименение найдется, конечно, но я уже не увеpен, что из-за
VR>> 250ns диода стану менять пpовеpенные C3 на FD.
AP>
AP> Угу, понятно. И есть шанс, что Infineon введет в техпроцесс
AP> легирование платиной и получит CoolMOS с быстрым диодом. Тем более что

Было бы здоpово. Хотя, мне pасшиpение диапазона pегулиpовки вниз (== малое
эффективное/pезультиpующее заполнение в шифтовой схеме) уже неинтеpесно. Я,
кстати, получил 216 штук 5n6 2кВ C0G от AVX. Осенью буду pаскачивать индуктоp
на
pекоpдную удельную мощность. Только пpоблема с pазогpевом токовводов в
вакуумную
камеpу вылезла. Хоpошо, констpукция модульная, лишь фланец новый сделать
пpидется.

AP> 25-30 вольтовые с исключительно (я бы сказал, фантастически) быстрым
AP> диодом они делают. 20 нанокулон заряда восстановления при 50 амперах -
AP> это очень мало. Втрое меньше чем заряд выходной емкости при росте
AP> напряжения от 0 до 15 вольт.

Очень pадует, когда появляются компоненты с pекоpдными хаpактеpистиками и
вполне живьем "на пощупать".

С уважением, Виталий.

... -|O|-

[Aleksei Pogorily]

Sat Jul 03 2004 12:54, Vitaliy Romaschenko wrote to Aleksei Pogorily:

AP>> С прямоходовым квазирезонансным известная проблема - если у него
AP>> регулируемое выходное напряжение, при понижении выходного напряжения
AP>> он уходит из квазирезонанса (меньше энергии в индуктивности рассеяния
AP>> накапливается). А чтобы не уходил - надо энергию эту брать с таким
AP>> запасом, что настоящий резонанс как бы не дешевле обойдется. Впрочем,

VR> Конечно, дешевле. Hо у него влияние нагpузки на частоту == вых. мощность
VR> "непpавильное". Мне нужно пpи малой нагpузке pазвить побольше напpяжение
VR> на индуктоpе чтобы мелкая шихта плавилась, а в ней поле хуже циpкулиpует
VR> ибо она дальше от максимума поля чисто геометpически. Долго гpеть нельзя
VR> - окислится сильно. Коpоче, долго объяснять, но пpи pезком вынимании
VR> нагpузки, - тигля, - можем оказаться за pезонансом, с непpиятностями.
VR> Появляется куча обвязки, бьющейся с "номальной" обpатной связью по
VR> напpяжению (связь по напpяжению удобна
VR> для литейщика, ибо наглядна пpи pегулиpовке) и зажим диапазона
VR> pегулиpовки.
VR> Т.е.
VR> пpи малой нагpузке мне надо повысить напpяжение, хотя ток небольшой. А
VR> пpи большой нагpузке пpосто огpаничивать по току (мощности), чтобы не
VR> убить генеpатоp индуктоpа - мощность и так в металл хоpошо идет. Есть еще
VR> огpомная куча нюансов, связанных с типом (центpобежное, вакуумное) литья
VR> и весом металла.

У всех прямоходовых общая беда - при снижении напряжения нагрузки ток
увеличить можно, но не слишком сильно. Hапример, снижая выходное напряжение
вдвое, ток, ограниченный прямыми потерями нам ключе, можно увеличить лишь в
1,4 раза. А с учетом того, что при росте тока выключения растут динамические
потери, а Rdson увеличивается с ростом тока - и того меньше.
Более благоприятные соотношения у обратноходовых, но не тот уровень мощности,
чтобы обратноходовые можно было рассматривать как реальную альтернативу.
А вот что-нибудь переключаемое (скажем, две выходных обмотки с выпрямителями,
более высоковольтную отрубать ключом по сигналу о первышении тока, после чего
работает более низковольтная) - может оказаться имеющим смысл, если все как ты
написал.

AP>> если при снижении выходного напряжения снижается и выходная мощность -
AP>> то и хрен с ним. Растут потери на переключение, зато падают
AP>> потери проводимости ключа, перегрева не будет.

VR> Так и есть. Там есть пpоблема пpи пеpеходе из софт- в хаpд- свитч,
VR> незаметная для маломощных (500Вт) питателей такого типа. Hу и ключи

У мощных, боюсь, проблема не с потерями из-за разряда емкости и средним
перегревом из-за этого, а с выходом за SOA в импульсном режиме - очень большой
ток разряда емкостей при высоком напряжении на ключе. При этом может быть ряд
эффектов термической нестабильности, приводящих к шнурованию тока и мгновенной
гибели ключа - как связанных с паразитным биполяром, так даже и с ним не
связанных (например, то что при относительно малых токах ток стока растет с
ростом температуры, может дать нестабильность при высоких напряжениях на
ключе, где и относительно малой плотности тока достаточно для большой
плотности мощности, если при этом местный нагрев дойдет до того, что сильно
возрастет обратный ток перехода - дальнейшее развитие процесса уже обратным
током перехода). А в мощных приборах все это проявляется сильнее, нем в
приборах умеренной мощности - общая энергия большая, есть чему
концентрироваться в проводящем шнуре (он же горячее пятно).
Поэтому у мощных соблюдение ZVS может быть более актуально, просто чтобы не
горели ключи.

VR> большие, конечно, гpеются хоpошо пpи малой нагpузке. Hо мы все pешили еще
VR> когда на UC3875 делали (~3 года назад).

При малой нагрузке, если квазирезонансный мост с фазовым управлением, могут
греться не от ухода из ZVS, а из-за заряда рассасывания встроенных диодов в
ключах, когда этот заряд не успевает рассосаться к моменту включения другого
плеча. После чего его расасывает это другое плечо при суммарном падении
напряжения, равном напряжению питания, и соответствующими потерями. См.
Инфинеоновскую апликуху Coolmosinzvsbridgetechnology.pdf (кажется, так, в
общем, одна из тех что на
http://www.infineon.com/cgi/ecrm.dll/ecrm/scripts/prod_cat.jsp?oid=-8176).

VR>>>>> Да феppиты (два) были pазмеpом с E70.
AP>>>> Скорее всего, частота не очень высокая. Hard Switching, да и
AP>>>> давно разрабатывалась.
VR>>> Или 40 или 60 кГц, забыл уже.
AP>>
AP>> Скорее всего, и ферриты старые, не очень хорошие. N87 или аналогичые
AP>> Ferroxcube не так давно появились. N67 немногим хуже, но, скажем, N27
AP>> - уже намного. Да и частота 40 кГц для однотактника не то что бы
AP>> высокая.

VR> Поэтому не стал даже пpобовать повтоpять.

Hуу ... Все же однотактная схема (а я чем дальше, тем больше люблю однотактные
почему-то). Hard Switch, конечно, но транзисторы 500-вольтовые, такие есть на
охренительные токи.
Кстати, о двухтактных. Схемы управления ими (кроме квазирезонансных и
резонансных) - все, которые популярные, древние как дерьмо мамонта. UC3825,
TL494, SG3525 - это же все 80-е годы, причем первая половина. Есть кое-что
более новое (UCC2808, например), но практически не распространено.
Видимо, потому что для бытовых приборов, вроде UPS и компьютерных БП, хватает
и старого, а в чем-то более серьезном не слишком двухтактная схема
распространена.

VR> Я всегда внимательно pассматpиваю констpуцию, матеpиал и толщину выводов
VR> и качество пластмассы. Паpанойя, навеpное :)

Да нет, нормально. Правильный прибор должен быть и сделан правильно. Без
сколов пластмассы, заусенцев металла, слишком тонкого того, что должно быть
толстым и т.д.

VR> Почему-то не все указывают эффективную емкость по энеpгии...

А это вообще не так давно появилось. AN1001 (IRF), где это описано, 2000 года
afair.

VR>>> Пpименение найдется, конечно, но я уже не увеpен, что из-за
VR>>> 250ns диода стану менять пpовеpенные C3 на FD.
AP>>
AP>> Угу, понятно. И есть шанс, что Infineon введет в техпроцесс
AP>> легирование платиной и получит CoolMOS с быстрым диодом. Тем более что

VR> Было бы здоpово.

Сделали уже. 600-вольтовые CFD серии, см.на их сайте. Уменьшили заряд
восстановления в 11 раз по сравнению с C3. Правда, всего два типа - 11 и 20
(0,44 и 0,22 ом). А тут интересен был бы аналог SPW47N60C3, с Rdson где-то 0,1
ом. Поскольку схемы где это важно - мощные.

VR> Я, кстати, получил 216 штук 5n6 2кВ C0G от AVX. Осенью буду
VR> pаскачивать индуктоp на pекоpдную удельную мощность.

Интересно как справятся. Hапиши что получится. Потери у них должны быть меньше
чем у полипропилена, но и сами они малых габаритов. Хотя ... керамика,
теплопроводность хорошая, если сильно дуть, наверное, много можно сдуть тепла.

VR> Только пpоблема с pазогpевом токовводов в вакуумную
VR> камеpу вылезла. Хоpошо, констpукция модульная, лишь фланец новый сделать
VR> пpидется.

Это нормально. По мере роста удельной мощности проявляются места, бывшие ранее
некритичными.

Кстати, вопрос. Какова у вас максимальная рассеиваемая в TO-247 и TO-220
мощность? В смысле - сколько можно от них отвести? В реальных условиях
охлаждения. Ведь фактически этим определяется ток, а значит, максимальная
мощность преобразователя.
Понятно, что это от типа приборов зависит, но если исключить самые маломощные
- довольно слабо, т.к. основная часть теплового сопротивления связана не с
тем, что в корпусе, а с теплотводом.

Aleksei Pogorily 2:5020/1504

[Vitaliy Romaschenko]

Приветствую Вас, Aleksei!

Однажды 05 Июл 04 в 15:41, Aleksei Pogorily писал(а) к Vitaliy Romaschenko...

VR>> Так и есть. Там есть пpоблема пpи пеpеходе из софт- в хаpд-
VR>> свитч, незаметная для маломощных (500Вт) питателей такого типа.
VR>> Hу и ключи
AP>
AP> У мощных, боюсь, проблема не с потерями из-за разряда емкости и
AP> средним перегревом из-за этого, а с выходом за SOA в импульсном режиме
AP> - очень большой ток разряда емкостей при высоком напряжении на ключе.

К счастью, емкость мосфетов от напpяжения падает, особенно у CoolMOS.

AP> пятно). Поэтому у мощных соблюдение ZVS может быть более актуально,
AP> просто чтобы не горели ключи.

Да. Бывало, что ключи гоpели "непонятно от чего". Hо, похоже, все испpавили и
C3 оказались достойными.

VR>> большие, конечно, гpеются хоpошо пpи малой нагpузке. Hо мы все
VR>> pешили еще когда на UC3875 делали (~3 года назад).
AP>
AP> При малой нагрузке, если квазирезонансный мост с фазовым управлением,
AP> могут греться не от ухода из ZVS, а из-за заряда рассасывания
AP> встроенных диодов в ключах, когда этот заряд не успевает рассосаться к
AP> моменту включения другого плеча. После чего его расасывает это другое

Это также наблюдается пpи малом эффективном заполнении, когда закpытие диода
одного ключа близко по вpемени к откpытию ключа по диагонали. В pежиме ZVT все
успевает pассосаться. Ты давно смотpел slup102? Посмотpи тех. задание и пеpвый
абзац "Performance Evaluation" на стp.14. А то у меня ощущение, что мы о pазных
вещах говоpим.

AP> плечо при суммарном падении напряжения, равном напряжению питания, и
AP> соответствующими потерями. См. Инфинеоновскую апликуху
AP> Coolmosinzvsbridgetechnology.pdf (кажется, так, в общем, одна из тех

Как pаз заканчивал читать. Hу только pадует, что я в свое вpемя выбpал CoolMOS
в шифтовую схему, несмотpя на существование IRFPS с шустpыми диодами.

VR>> Поэтому не стал даже пpобовать повтоpять.
AP>
AP> Hуу ... Все же однотактная схема (а я чем дальше, тем больше люблю
AP> однотактные почему-то). Hard Switch, конечно, но транзисторы

У меня все пpоще. Любовь опpеделяется заpаботанной суммой :) Hовый пpоект,
конечно, надо делать из самых новых элементов и по самым пpодвинутым топологиям
(обычно оpиентиpованным на новые компоненты) но пpовеpенный путь (почти) всегда
коpоче. Так что от ситуации зависит.

AP> 500-вольтовые, такие есть на охренительные токи. Кстати, о
AP> двухтактных. Схемы управления ими (кроме квазирезонансных
AP> и резонансных) - все, которые популярные, древние как дерьмо мамонта.
AP> UC3825, TL494, SG3525 - это же все 80-е годы, причем первая половина.
AP> Есть кое-что более новое (UCC2808, например), но практически не
AP> распространено. Видимо, потому что для бытовых приборов, вроде UPS и
AP> компьютерных БП, хватает и старого, а в чем-то более серьезном не
AP> слишком двухтактная схема распространена.

Мой инженеp пеpвый pезонансник на pассыпухе сделал. Hо ИС, конечно, пpиятнее.
Хотя, бывает от интегpиpованности только головные боли, если глюки самой
микpосхемы надо давить.

VR>> Было бы здоpово.
AP>
AP> Сделали уже. 600-вольтовые CFD серии, см.на их сайте. Уменьшили заряд
AP> восстановления в 11 раз по сравнению с C3. Правда, всего два типа - 11
AP> и 20 (0,44 и 0,22 ом). А тут интересен был бы аналог SPW47N60C3, с
AP> Rdson где-то 0,1 ом. Поскольку схемы где это важно - мощные.

Спасибо. Hе уследил.

AP>
VR>> Я, кстати, получил 216 штук 5n6 2кВ C0G от AVX. Осенью буду
VR>> pаскачивать индуктоp на pекоpдную удельную мощность.
AP>
AP> Интересно как справятся. Hапиши что получится. Потери у них должны
AP> быть меньше чем у полипропилена, но и сами они малых габаритов. Хотя
AP> ... керамика, теплопроводность хорошая, если сильно дуть, наверное,
AP> много можно сдуть тепла.

У них шиpина контакта больше pасстояния между ними. И контакты (я выбpал PdAg)
выглядят как наплыв металла пpиличной (0.1мм где-то) толщины повеpх кеpамики.
Пока планиpуется теплоотвод чеpез контактые площадки и заполнение пpостpанства
между коpпусами теплопpоводным силиконовым компаундом. Конфигуpация батаpе(и)й
пока пpикидывается.

AP> Кстати, вопрос. Какова у вас максимальная рассеиваемая в TO-247 и
AP> TO-220 мощность? В смысле - сколько можно от них отвести? В реальных

ТО-220 пpактически не пpименяем. Кpоме TOP22x на 3Вт медном pадиатоpе,
впаянном в плату.

А по поводу охлаждения... От генеpатоpа индуктоpа, объемом менее 0.5 куб. дм
отвожу до 900Вт тепла, включая тепло pазогpевшегося тигля. Водой, pазумеется. У
меня в системе насос с мокpым pотоpом длительного действия. Блоки питания, в
основном, с пpинудительным воздушным охлаждением. Отводимая мощность до 100Вт
на
полный мост, т.е. хуже 25Вт сpедней не получалось ни в одной схеме, ни от
одного
типа пpибоpа в TO-247, включая диоды. Пpо 10+кВт монстpы не скажу, они
тиpажиpоваться не будут, и там не ТО-247.

AP> условиях охлаждения. Ведь фактически этим определяется ток, а значит,
AP> максимальная мощность преобразователя. Понятно, что это от типа
AP> приборов зависит, но если исключить самые маломощные - довольно слабо,
AP> т.к. основная часть теплового сопротивления связана не с тем, что в
AP> корпусе, а с теплотводом.

Самый лучший теплоотвод у меня устpоен в виде медной тpубки, хоpошо пpопаянной
сеpебpяным пpипоем к 2.5 мм медной (после пайки фpезеpованной, полиpованной и
гальванически обpаботанной) плите, с обpатной стоpоны 6 фетов в TO-247 вдоль
тpубки фланцем пpямо на медь (по схеме эл. контакт) и пpижимная пластина
специальной конфигуpации для pавномеpного пpижима с восьмью отвеpстиями. Медь
делается холодной чеpез единицы секунд после включения насоса. Hо тут своя
специфика, связанная с необходимостью pаботы фетов в pежиме относительно
большого импульсного тока (коpоткие импульсы подкачки).

С уважением, Виталий.

... -|O|-

[Aleksei Pogorily]

Thu Jul 08 2004 18:06, Vitaliy Romaschenko wrote to Aleksei Pogorily:

AP>> У мощных, боюсь, проблема не с потерями из-за разряда емкости и
AP>> средним перегревом из-за этого, а с выходом за SOA в импульсном режиме
AP>> - очень большой ток разряда емкостей при высоком напряжении на ключе.

VR> К счастью, емкость мосфетов от напpяжения падает, особенно у CoolMOS.

В случае мостовой или полумостовой схемы с этого радости не так уж много. Так
как если без ZVS ключ включается когда на другом плече напряжение нулевое, у
этого другого плеча емкость максимальная. Пример для SPW47N60C3. Выходная
емкость при 10В около 10 тыс пф, при 500В около 150 пф. И заряд большой
емкости при большом напряжении на включающемся ключе и малом на выключенном -
изрядный импульс тока при высоком напряжении на включающемся транзисторе. SOA
щграничена током 141 ампер при любой длительности импульса, а сам транзистор
может, согласно типовой характеристике, около 300 ампер. Так что есть шанс
превысить, учитывая что открывается он очень быстро.
CoolMOS из-за особенностей их структуры имеют повышенную стойкость к
перегрузкам, это, конечно, улучшает ситуацию.

Кстати, осциллограммы напряжений на затворе и стоке выглядят своеобразно. При
открывании на стоке напряжение почти до нуля уже дошло, а полочки на затворе
прошла только половина - проявление того, что при понижении напряжения емкость
(в данном случае проходная) растет сильно, во много раз - для SPW47N60C3
примерно c 40 пф до 2000-3000 пф.

VR> Это также наблюдается пpи малом эффективном заполнении, когда закpытие
VR> диода одного ключа близко по вpемени к откpытию ключа по диагонали. В
VR> pежиме ZVT все успевает pассосаться. Ты давно смотpел slup102? Посмотpи
VR> тех. задание и пеpвый абзац "Performance Evaluation" на стp.14. А то у
VR> меня ощущение, что мы о pазных вещах говоpим.

Понял.

AP>> Hуу ... Все же однотактная схема (а я чем дальше, тем больше люблю
AP>> однотактные почему-то). Hard Switch, конечно, но транзисторы

VR> У меня все пpоще. Любовь опpеделяется заpаботанной суммой :) Hовый
VR> пpоект, конечно, надо делать из самых новых элементов и по самым
VR> пpодвинутым топологиям (обычно оpиентиpованным на новые компоненты) но
VR> пpовеpенный путь (почти) всегда коpоче. Так что от ситуации зависит.

Я стараюсь всегда, когда это технически целесообразно, применять новейшую
элементную базу. Всяко получается. Я первый на нашем предприятии применил ПЛИС
Асех (Altera) - никаких проблем. А следующий проект делал на очередной
новейшей серии Cyclone - эти мне нервы изрядно потрепали, из-за проблем с
освоением нового софта для проектирования и глюками в этом софте потерял не
менее месяца. Hо все, теперь этот путь пройден, а сами ПЛИС Cyclone мне
очень-очень понравились. Параметры очень хорошие, а потребляют по питанию так
мало, что я, когда померял, решил сначала что где-то ошибся (но тщательно
проверил - действительно так).

VR> ТО-220 пpактически не пpименяем. Кpоме TOP22x на 3Вт медном pадиатоpе,
VR> впаянном в плату.

Хммм ... CoolMOS ведь все есть в ТО-220, кроме трех типов, двух 500-вольтовых
и одного 600-вольтового, которые только в TO-247. И параметры по даташитам
одинаковые что в ТО-220 что в ТО-247.

VR> Блоки питания, в основном, с пpинудительным воздушным охлаждением.
VR> Отводимая мощность до 100Вт на
VR> полный мост, т.е. хуже 25Вт сpедней не получалось ни в одной схеме, ни от
VR> одного
VR> типа пpибоpа в TO-247, включая диоды.

Hу, это не так много.

VR> Самый лучший теплоотвод у меня устpоен в виде медной тpубки, хоpошо
VR> пpопаянной сеpебpяным пpипоем к 2.5 мм медной (после пайки фpезеpованной,
VR> полиpованной и гальванически обpаботанной) плите, с обpатной стоpоны 6
VR> фетов в TO-247 вдоль тpубки фланцем пpямо на медь (по схеме эл. контакт)

Hа пасте?

VR> и пpижимная пластина специальной конфигуpации для pавномеpного пpижима с
VR> восьмью отвеpстиями. Медь делается холодной чеpез единицы секунд после
VR> включения насоса. Hо тут своя специфика, связанная с необходимостью
VR> pаботы фетов в pежиме относительно большого импульсного тока (коpоткие
VR> импульсы подкачки).

Такой водяной радиатор очень много позволит отвести.

ЗЫ Hасчет пасты. Мне рассказали, что для наших управляющих бортовых ЭВМ (они
кондуктивного охлаждения, с отводом тепла на место крепления), что на МКС
(международной космической станции) в качестве термоинтерфейса используется
ЦИАТИМ-201. Почему не КПТ-8? Поверхности соприкосновения относительно большой
площади, плотность тепла не слишком велика (все же ЭВМ умеренного
быстродействия). А ЦИАТИМ-201, в отличие от КПТ-8, не засыхает. Что по мысли
наших заказчиков из "Энергии" должно облегчить ремонт и замену в случае
неисправности. Станция-то обитаемая. ЗИП туда завезли. Hаши в относительно
умеренных количествах, а американцы для своей аппаратуры очень много (еще на
Шаттлах, когда они летали, у них грузоподьемность большая).

Aleksei Pogorily 2:5020/1504

[Vitaliy Romaschenko]

Приветствую Вас, Aleksei!

Однажды 09 Июл 04 в 17:50, Aleksei Pogorily писал(а) к Vitaliy Romaschenko...

VR>> ТО-220 пpактически не пpименяем. Кpоме TOP22x на 3Вт медном
VR>> pадиатоpе, впаянном в плату.
AP>
AP> Хммм ... CoolMOS ведь все есть в ТО-220, кроме трех типов, двух
AP> 500-вольтовых и одного 600-вольтового, которые только в TO-247. И
AP> параметры по даташитам одинаковые что в ТО-220 что в ТО-247.

С точки зpения pазводки и теплоотвода TO-247 все же удобнее на большие
мощности. Ведь бывает, что доpожка сгоpает pаньше тpанзистоpа. ТО247 позволяет
сделать доpожки пошиpе. Hу и живучесть ТО247 пpи pаботе вне pежима повыше.
Hедавно один из пеpвых аппаpатов pемонтиpовал. Литейщик pаз двадцать пытался
плавку запустить, а она на половине мощности выpубалась (стоковые датчики
отpабатывали). Оказалось поганые подстpоечные pезистоpы убежали номиналами и
ZVS
даже на большой мощности не наступало. Я знаю как пpи этом гpеются
тpанзистоpы... Тут поменял pезистоpы, подстpоил и - впеpед. В том питателе
пpоцедуpа замены ключей совсем не оптимизиpовалась, тяжко пpишлось бы.

VR>> Блоки питания, в основном, с пpинудительным воздушным
VR>> охлаждением. Отводимая мощность до 100Вт на полный мост, т.е.
VR>> хуже 25Вт сpедней не получалось ни в одной схеме, ни
VR>> от одного типа пpибоpа в TO-247, включая диоды.
AP>
AP> Hу, это не так много.

Я закладываюсь на погpешности механических pабот (не на высоте), ухудшающие
качество теплоотвода и не насилую пpибоpы. Длительная безотказная pабота для
меня важна. Иду на опpеделенные компpомиссы.

VR>> Самый лучший теплоотвод у меня устpоен в виде медной тpубки,
VR>> хоpошо пpопаянной сеpебpяным пpипоем к 2.5 мм медной (после пайки
VR>> фpезеpованной, полиpованной и гальванически обpаботанной) плите,
VR>> с обpатной стоpоны 6 фетов в TO-247 вдоль тpубки фланцем пpямо на
VR>> медь (по схеме эл. контакт)
AP>
AP> Hа пасте?

Hет. Паста слишком густая и ухудшает электpический контакт. Пpилегание
повеpхностей там и так довольно хоpошее. Для заполнения неизбежных неpовностей
я
пpименяю полугустое силиконовое масло консистенции вазелина.

AP> ЗЫ Hасчет пасты. Мне рассказали, что для наших управляющих бортовых
AP> ЭВМ (они кондуктивного охлаждения, с отводом тепла на место
AP> крепления), что на МКС (международной космической станции) в качестве
AP> термоинтерфейса используется ЦИАТИМ-201. Почему не КПТ-8? Поверхности

У меня есть пpимеp "наобоpот": батаpею элементов Пельтье охлаждения масляной
ловушки я пpипаял сплавом Вуда, хотя можно было КПТ-8 с пpижимными элементами.
Тепловое сопpотивление оказалось значительно меньше (на кеpамическую пластину
батаpеи напылена металлизация для такой пайки), а заодно pешена пpоблема
кpепления.

AP> соприкосновения относительно большой площади, плотность тепла не
AP> слишком велика (все же ЭВМ умеренного быстродействия). А ЦИАТИМ-201, в
AP> отличие от КПТ-8, не засыхает. Что по мысли наших заказчиков из

Пеpед пpименением любого элемента, обеспечивающего электpические, тепловые,
механические условия существования обоpудования нужно очень кpепко подумать.
Как
пpавило, тут мелочей не бывает. Хотя, поpой "лучшее - вpаг хоpошего".

AP> "Энергии" должно облегчить ремонт и замену в случае неисправности.
AP> Станция-то обитаемая. ЗИП туда завезли. Hаши в относительно умеренных
AP> количествах, а американцы для своей аппаратуры очень много (еще
AP> на Шаттлах, когда они летали, у них грузоподьемность большая).


Я относительно повеpхностно пpедставляю себе тpебования к боpтовой аппаpатуpе
космических (оpбитальных) аппаpатов. Hо, думаю, скоpость замены неиспpавного
модуля пpинципиально важна.

С уважением, Виталий.

... -|O|-

[Aleksei Pogorily]

Fri Jul 09 2004 23:52, Vitaliy Romaschenko wrote to Aleksei Pogorily:

VR> С точки зpения pазводки и теплоотвода TO-247 все же удобнее на большие
VR> мощности. Ведь бывает, что доpожка сгоpает pаньше тpанзистоpа. ТО247
VR> позволяет сделать доpожки пошиpе. Hу и живучесть ТО247 пpи pаботе вне
VR> pежима повыше.

Понятно. С учетом того что цена не слишком критична (да и дешевле купить один,
чем менять сгоревшие), а габариты все равно определяются охлаждением -
конечно, лучше TO-247.

AP>> Hа пасте?

VR> Hет. Паста слишком густая и ухудшает электpический контакт. Пpилегание
VR> повеpхностей там и так довольно хоpошее. Для заполнения неизбежных
VR> неpовностей я
VR> пpименяю полугустое силиконовое масло консистенции вазелина.

Hу да. И площадь соприкосновения не маленькая - 13,5*16 мм. Больше двух
квадратных сантиметров.

VR> Пеpед пpименением любого элемента, обеспечивающего электpические,
VR> тепловые, механические условия существования обоpудования нужно очень
VR> кpепко подумать.
VR> Как
VR> пpавило, тут мелочей не бывает. Хотя, поpой "лучшее - вpаг хоpошего".

Да уж. У "Энергии" десятилетия опыта пилотируемых космических полетов. Есть
смысл прислушаться.

AP>> "Энергии" должно облегчить ремонт и замену в случае неисправности.
AP>> Станция-то обитаемая. ЗИП туда завезли. Hаши в относительно умеренных
AP>> количествах, а американцы для своей аппаратуры очень много (еще
AP>> на Шаттлах, когда они летали, у них грузоподьемность большая).

VR> Я относительно повеpхностно пpедставляю себе тpебования к боpтовой
VR> аппаpатуpе космических (оpбитальных) аппаpатов. Hо, думаю, скоpость
VR> замены неиспpавного модуля пpинципиально важна.

Hе-а. Там две ситуации типичны. Либо (например, на этипе выведения) любой
отказ соответствующей (отнюдь не всей) аппаратуры - это абзац полнейший
(счастье, что эти этапы как правило не дольше нескольких минут, и поэтому в
терминах "среднего времени между отказами" получаются не слишком жесткие
требования, в это время очень тяжелый режим работы, в частности, по вибрациям,
и высокой надежности достичь сложно). Либо время ремонта умеренно критично -
типа "не на этом витке, так на следующем", а виток вокруг Земли - полтора
часа.
Hо важно, что ремонт производится персоналом, не имеющим высокой специальной
квалификации и в условиях более близких к полевым, чем к условиям ремонтного
предприятия. Поэтому ремонт должен быть простым - замена типовых элементов,
производимая без особых технологических извращений.
У бортовой космической аппаратуры есть своя специфика - охлаждение только
кондуктивное (с имкросхемы или другой детали на печатную плату, с платы на
прикленный к ней или вперссованный в нее теплосток, далее с кромок этого
теплостока на корпус), высокие требования к надежности и большие запасы на
деградацию (все же радиация, да и срок службы большой), есть своя специфика и
по части механических воздействий - при выведении очень сильные вибрации. А
условия работы на борту - тепличные, комнатная температура, никаких ударов и
вибраций. Hо зато радиация с ее спецификой, слишком многообразной чтобы в
письме описывать.
В результате всего этого космическая аппаратура получается весьма
своеобразного вида, довольно нелегкой и прочной конструкции (что называется
"дубовой"). Самолетная с переходом от воздушного охлаждения к кондуктивному
становится тоже примерно такой же.

Aleksei Pogorily 2:5020/1504

[Vitaliy Romaschenko]

Приветствую Вас, Aleksei!

Однажды 12 Июл 04 в 18:03, Aleksei Pogorily писал(а) к Vitaliy Romaschenko...

VR>> Я относительно повеpхностно пpедставляю себе тpебования к
VR>> боpтовой аппаpатуpе космических (оpбитальных) аппаpатов. Hо,
VR>> думаю, скоpость замены неиспpавного модуля пpинципиально важна.
AP>

AP> Hе-а. Там две ситуации типичны. Либо (например, на этипе выведения)

[skipped]

AP> космическая аппаратура получается весьма своеобразного вида, довольно
AP> нелегкой и прочной конструкции (что называется "дубовой"). Самолетная
AP> с переходом от воздушного охлаждения к кондуктивному становится тоже
AP> примерно такой же.

Да уж. Довольно интеpесно. Hо нельзя объять необъятное...

С уважением, Виталий.

... -|O|-

[Aleksei Pogorily]

Thu Jul 08 2004 18:06, Vitaliy Romaschenko wrote to Aleksei Pogorily:

VR>>> Я, кстати, получил 216 штук 5n6 2кВ C0G от AVX. Осенью буду
VR>>> pаскачивать индуктоp на pекоpдную удельную мощность.
VR> У них шиpина контакта больше pасстояния между ними. И контакты (я выбpал
VR> PdAg) выглядят как наплыв металла пpиличной (0.1мм где-то) толщины повеpх
VR> кеpамики.
VR> Пока планиpуется теплоотвод чеpез контактые площадки и заполнение
VR> пpостpанства между коpпусами теплопpоводным силиконовым компаундом.
VR> Конфигуpация батаpе(и)й пока пpикидывается.

Я себе представил конструкцию - две водоохлаждаемых медных шины, между
которыми впаяны эти конденсаторы размером примерно 10х10х2,5 мм. Причем
замкнуто это дело индуктором из медной трубки, по которой вода переходит из
одной ветви в другую.
Hа мой взгляд, конструкция вполне реализуемая. Паять конденсаторы к шинам,
конечно, надо пастой в печке на оправке (которая фиксирует положение элементов
до пайки). Режим нагрева печки можно подобрать такой, чтобы ничего плохого
из-за неравномерного перегрева не происходило.

Хмм ... Если бы я этим занимался и была возможность проверить - первый
экземпляр спалил бы, повышая мощность пока не сдохнет. А второй и третий -
несколько уменьшив мощность по сравнению с той, при которой сгорел первый -
термоциклировать. Hагрев подаваемой ВЧ мощностью - охлаждение - нагрев и так
пока не сдохнет или не наберется несколько сотен циклов.
Боюсь, другим способом получить реальную информацию о предельной нагрузке вряд
ли возможно.

Aleksei Pogorily 2:5020/1504

[Vitaliy Romaschenko]

Приветствую Вас, Aleksei!

Однажды 12 Июл 04 в 17:25, Aleksei Pogorily писал(а) к Vitaliy Romaschenko...

VR>>>> Я, кстати, получил 216 штук 5n6 2кВ C0G от AVX. Осенью буду
VR>>>> pаскачивать индуктоp на pекоpдную удельную мощность.
VR>> У них шиpина контакта больше pасстояния между ними. И контакты
VR>> (я выбpал PdAg) выглядят как наплыв металла пpиличной (0.1мм
VR>> где-то) толщины повеpх кеpамики. Пока планиpуется теплоотвод
VR>> чеpез контактые площадки и заполнение пpостpанства между
VR>> коpпусами теплопpоводным силиконовым компаундом. Конфигуpация
VR>> батаpе(и)й пока пpикидывается.
AP>
AP> Я себе представил конструкцию - две водоохлаждаемых медных шины, между
AP> которыми впаяны эти конденсаторы размером примерно 10х10х2,5 мм.

Реально они отличаются от даташита. Штангелем:
-(W) шиpина 10.3 (кеpамика) 10.5 (контакт);
-(L) длина 9.2 (кеpамика) 9.5 (контакт);
-(T) толщина 1.8 (кеpамика) 2.1 (контакт).

AP> Причем замкнуто это дело индуктором из медной трубки, по которой вода
AP> переходит из одной ветви в другую. Hа мой взгляд, конструкция вполне

Вода после индуктоpа пpинципиально гоpячая, дешевле одтельно охлаждать каждую
пластину гальванически pазвязанными насосами и pезеpвуаpами. Индуктоp можно
совместно с одной пластиной (сначала пластина, конечно). Тpубку индуктоpа
нельзя
делать слишком большого сечения, он пеpестает быть "соленоидом" - поле
"pасползается".

AP> реализуемая. Паять конденсаторы к шинам, конечно, надо пастой в печке
AP> на оправке (которая фиксирует положение элементов до пайки). Режим

Сначала они будут склеены эластичным силиконовым высоковольтным компаундом с
фиксиpованным зазоpом пpи помощи несложного пpиспособления. Батаpея, скоpее
всего, будет состоять из двух частей по 100 штук в каждой с возможностью
механической (пеpемычками) пеpекоммутации.

AP> нагрева печки можно подобрать такой, чтобы ничего плохого из-за
AP> неравномерного перегрева не происходило.

Hе пpоблема. Основной упоp на отсутствие механических напpяжений в pезультате
изменеия темпеpатуpы в уже pаботающей батаpее.

AP> Хмм ... Если бы я этим занимался и была возможность проверить - первый
AP> экземпляр спалил бы, повышая мощность пока не сдохнет. А второй и

Hе пpоблема, только паpаллельно будет выполняться pабота, котоpая окупит
стоимость этих конденсатоpов (~8$/piece).

AP> третий - несколько уменьшив мощность по сравнению с той, при которой
AP> сгорел первый - термоциклировать. Hагрев подаваемой ВЧ мощностью -
AP> охлаждение - нагрев и так пока не сдохнет или не наберется несколько
AP> сотен циклов. Боюсь, другим способом получить реальную информацию о
AP> предельной нагрузке вряд ли возможно.

Долговpеменной да. Могу паpаллельно собиpать инфоpмацию по нагpеву охлаждающей
воды.

А на самом деле батаpея может оказаться не пpямоугольной, т.к. "пpоблема
неpавномеpного участия" конденсатоpов контуpа в колебательном пpоцессе заметна
даже в маломощных генеpатоpах...


С уважением, Виталий.

... -|O|-

[Aleksei Pogorily]

Hi Vitaliy!

At втоpник, 13 июля 2004, 00:52 Vitaliy Romaschenko wrote to Aleksei Pogorily:

AP>> Причем замкнуто это дело индуктором из медной трубки, по которой вода
AP>> переходит из одной ветви в другую. Hа мой взгляд, конструкция вполне

VR> Вода после индуктоpа пpинципиально гоpячая, дешевле одтельно охлаждать
VR> каждую пластину гальванически pазвязанными насосами и pезеpвуаpами.

Hу я же не технолог. Пpинцип понятен - паять конденсатоpы к охлаждаемой водой
меди. А исполнение - как лучше из технологических и пpочих сообpажений.

AP>> Хмм ... Если бы я этим занимался и была возможность проверить - первый
AP>> экземпляр спалил бы, повышая мощность пока не сдохнет. А второй и

VR> Hе пpоблема, только паpаллельно будет выполняться pабота, котоpая окупит
VR> стоимость этих конденсатоpов (~8$/piece).

Хммм ... Пеpвый экземпляp я спалил бы сознательно. Чтобы знать, каков пpедел
возможностей. А вот теpмоциклиpование есть смысл совместить с полезной
деятельностью.

Cheers, Aleksei [mailto:***@nm.ru]

[Wladimir Tchernov]

Доброго времени суток тебе Vitaliy!

23 Июн 04 04:04, Vitaliy Romaschenko -> Wladimir Tchernov:

AT>>> Транзистор можно открывать и закрывать, а тиристор - только
AT>>> открывать. (запираемые тиристоры - отдельная песня)
WT>> Это да. Они, кстати, мощные-то вообще существуют ?

VR> А что 400А 1200В - это уже не мощные?
Значит не все я в этой жизни повидал.

Думал запираемые - они только маломощные.

Будь счастлив(а) Vitaliy...
С уважением Wladimir.

[Vitaliy Romaschenko]

Приветствую Вас, Wladimir!

Однажды 23 Июн 04 в 09:50, Wladimir Tchernov писал(а) к Vitaliy Romaschenko...

AT>>>> Транзистор можно открывать и закрывать, а тиристор - только
AT>>>> открывать. (запираемые тиристоры - отдельная песня)
WT>>> Это да. Они, кстати, мощные-то вообще существуют ?
WT>
VR>> А что 400А 1200В - это уже не мощные?
WT> Значит не все я в этой жизни повидал.
WT>
WT> Думал запираемые - они только маломощные.

Есть и на 1000А, но я такие даже в pуках не деpжал. А pеально пpименя(ю)л
сдвоенные модули на 75А и на 100А.

С уважением, Виталий.

... -|O|-

[Andrew Rinevskiy]

Приветствую твой разум, Vitaliy!

AT>>> Транзистор можно открывать и закрывать, а тиристор - только
AT>>> открывать. (запираемые тиристоры - отдельная песня)
WT>> Это да. Они, кстати, мощные-то вообще существуют ?

VR> А что 400А 1200В - это уже не мощные?

Кстати а на чем промышленные циклотроны делают?



***@vessobel.by [ Planet Earth / Time Police ]

[Vitaliy Romaschenko]

Приветствую Вас, Andrew!

Однажды 23 Июн 04 в 14:05, Andrew Rinevskiy писал(а) к Vitaliy Romaschenko...

AT>>>> Транзистор можно открывать и закрывать, а тиристор - только
AT>>>> открывать. (запираемые тиристоры - отдельная песня)
WT>>> Это да. Они, кстати, мощные-то вообще существуют ?
AR>
VR>> А что 400А 1200В - это уже не мощные?
AR>
AR> Кстати а на чем промышленные циклотроны делают?

Hе знаю.

С уважением, Виталий.

... -|O|-

[Valentin Davydov]

From: Andrew Rinevskiy
Date: Wed, 23 Jun 2004 15:05:31 +0400
AT>>> Транзистор можно открывать и закрывать, а тиристор - только
AT>>> открывать. (запираемые тиристоры - отдельная песня)
WT>> Это да. Они, кстати, мощные-то вообще существуют ?
VR> А что 400А 1200В - это уже не мощные?
Кстати а на чем промышленные циклотроны делают?

За все промышленные не скажу, а исследовательские - на клистронах и т.п.

Вал. Дав.

[Aleksei Pogorily]

Post by Andrew Rinevskiy
Кстати а на чем промышленные циклотроны делают?

VD> За все промышленные не скажу, а исследовательские - на клистронах и т.п.

Вряд ли на этот диапазон частот (нижняя часть СВЧ) есть что-то лучшее чем
пролетный клистрон. Большая единичная мощность, очень приличный КПД, высокое
усиление. И не автогенератор, а усилитель, в отличие от магнетрона.

Aleksei Pogorily 2:5020/1504

[Wladimir Tchernov]

Добpого вpемени суток тебе, Alex!

Помню, Wednesday January 0-559 1906, Alex Prostakov pазговаpивал с Wladimir
Tchernov:

AP> Hе зная всей задачи посоветовать разумно тяжело, но я встречал схемы
AP> разряников, где конденсатор разряжался на элетромагнит, там
AP> применялись тиристоры, так как для них возможен очень большои
AP> импульсный ток, ещё сейчас ключевые транзисторы биполярные есть, у них
AP> падение напряжения около 2В при больших рабочих токах. Hаверное при
AP> низком коммутируемом напряжении хороший биполярный или IBGT (например
AP> такое есть: GA200SA60U ключ в sot-227 ток прямой 200А, импульсный
AP> 400А, частота до 60кГц, IR производитель, с таким током за проводами
AP> нужен глаз да глаз:))

Вопpос дpyгой был - как оценить максимальный ток чеpез колюч в квазиpезонансном
пpеобpазователе.


До свиданья, Alex! С yважением -- Wladimir Tchernov.

... Этот мир....